Поставка оригинальных ADS7863IDBQ, Data Acquisition - Analog to Digital Converters (ADC), от texas
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Доступность
Диапазон цен
| Качество | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | |
| 10 | |
| 30 | |
| 100 | |
| 500 | |
| 1,000 |
Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.
Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.
Обзор
The ADS7608A4A are four-bank Synchronous DRAMs organized as 4,194,304 words x 8 bits x 4 banks.Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock I/O transactions are possible on every clock cycle.Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth high performance memory system applications
Features
• JEDEC standard LVTTL 3.3V power supply
• MRS Cycle with address key programs -CAS Latency (2 & 3) -Burst Length (1,2,3,8,& full page) -Burst Type (sequential & Interleave)
• 4 banks operation
• All inputs are sampled at the positive edge of the system clock
• Burst Read single write operation
• Auto & Self refresh
• 4096 refresh cycle
• DQM for masking
• Package:54-pins 400 mil TSOP-Type II
Product Attribute
Product Parameter
Export Classifications & Environmental
Статьи
Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.
Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.
Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.