
GANB012-040CBA GaN FETs от Nexperia
GANB012-040CBA — это компонент категории GaN FETs от Nexperia в упаковке WLCSP12_SOT8088. Его обычно проверяют для GaN FETs. На этой странице указаны текущие остатки TrustCompo, уровни цен, данные по корпусу, доступ к datasheet, compliance-атрибуты, варианты отгрузки со склада Hong Kong, подтверждение оплаты и RFQ-варианты для покупателей, которым нужно подтвердить именно этот ordering code.
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

- Гарантия 365 днейПоддержка после покупки помогает закупщикам разбирать вопросы качества в понятный срок проверки.
- Отправка в течение 24-48 часовДоступные позиции могут быть быстро отправлены после подтверждения цены, количества и деталей доставки.
- 100% проверка на контрафактКомпоненты проходят проверку подлинности и инспекцию перед отгрузкой.
Ключевые характеристики
- Номер детали
GANB012-040CBA
- Внутренний код
TCE000023338
- Упаковка
WLCSP12_SOT8088
- Производитель
- Nexperia
Сигналы доверия
Качество и доверие
Проверьте credentials TrustCompo, поддержку traceability, anti-counterfeit handling и inspection controls перед отправкой RFQ.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
RFQ checklist
Процесс заказа
Подтвердите ключевые данные закупки для GANB012-040CBA до RFQ, выпуска PO и планирования отгрузки.
- 1
Подтвердить MPN
Укажите точный part number, производителя, package и approval constraints в RFQ.
- 2
Проверить склад и цену
Проверьте live availability, MOQ, lead time, финальную цену и налоговые условия до PO.
- 3
Согласовать документы
Подтвердите datasheet, CoC, traceability, lifecycle notes и scope инспекции, если требуется.
- 4
Организовать отгрузку
Выпустите PO и согласуйте DHL, FedEx, UPS или buyer forwarder shipment из Hong Kong.
Перед выпуском PO
Проверка детали
- Точный MPN подтвержден: GANB012-040CBA
- Корпус для проверки: WLCSP12_SOT8088
Коммерческие условия
- Live stock и срок поставки подтверждены через RFQ
- Финальная цена и налоговые условия подтверждены до выпуска PO
Отгрузка и документы
- Ship-from location: склад Hong Kong
- Способ доставки: DHL, FedEx, UPS или аккаунт экспедитора покупателя
Технические параметры
Параметры
Сравните сгруппированные параметры GANB012-040CBA от Nexperia, включая package, series, key attributes и technical values для engineering и sourcing review.
Product Attribute
Product Status
Production
Product Attribute
Manufacturer
Nexperia
Product Attribute
Total Power Dissipation (Max)
11.0
Product Attribute
IDM [max] (A)
50.0
Product Attribute
Number of Transistors
1.0
Product Attribute
Gate-Drain Charge (Typ)
3.9
| Параметр | Значение |
|---|---|
Product Status Lifecycle status of the product, such as active, obsolete, or end-of-life. This affects long-term availability and design reliability. For production, choose active products to ensure supply continuity. Check the datasheet or manufacturer for lifecycle details. | Production |
Manufacturer Identifies the company that designed and produced the component. Buyers often filter by manufacturer to ensure brand reliability, quality standards, and supply chain consistency. Verify the manufacturer against the datasheet and official packaging to avoid counterfeit parts. | Nexperia |
Total Power Dissipation (Max) Maximum total power the component can dissipate without damage. Compare across parts to ensure adequate thermal margin for your application. Verify against datasheet conditions, as derating may apply at high temperatures. | 11.0 |
IDM [max] (A) Maximum pulsed drain current for MOSFETs. This value indicates the highest current the device can handle during a short pulse. Compare with continuous drain current and verify against the datasheet for pulse width and duty cycle limitations. | 50.0 |
Number of Transistors Specifies the total count of individual transistor die or chips integrated within a single component package. This is critical for multi-transistor arrays, Darlington pairs, or modules. Verify against the datasheet to ensure the package meets your circuit design requirements for channel count and configuration. | 1.0 |
Gate-Drain Charge (Typ) Typical gate-drain charge (Qgd) in nanocoulombs, indicating the charge required to switch the MOSFET's drain during turn-off. Lower values enable faster switching and reduced losses. Verify against datasheet for your operating conditions. | 3.9 |
Maximum Junction Temperature (Tj) Maximum junction temperature is the highest allowable operating temperature of the semiconductor die. Exceeding it can cause thermal damage or reduced reliability. Compare this limit with your application's worst-case thermal conditions and verify against the datasheet's thermal specifications. | 125.0 |
RDSon (typ) @ VGS = 5 V (mΩ) Typical drain-source on-resistance when the gate-source voltage is 5 V. Lower values mean less conduction loss. Compare this parameter across MOSFETs for your switching or load application, and always verify against the datasheet's test conditions. | 9.0 |
Package Name Identifies the physical package type or designator, such as SOIC, QFN, or DIP. This determines PCB footprint, thermal performance, and assembly compatibility. Verify the package matches your board layout and manufacturing capabilities. Check the datasheet for exact dimensions. | WLCSP12 |
VDS [max] (V) Maximum drain-source voltage rating for MOSFETs. This is the highest voltage that can be applied between drain and source without causing breakdown. Check the datasheet for absolute maximum ratings and ensure your circuit operates well below this limit for reliability. | 40.0 |
ID [max] (A) Maximum continuous drain current for a MOSFET or transistor. This is the highest current the device can handle continuously without exceeding thermal limits. Verify against the datasheet for your operating conditions, including heatsinking and ambient temperature. | 10.0 |
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ) Maximum drain-source on-resistance when the gate-source voltage is 5 V. Lower values reduce conduction losses. Compare this parameter across MOSFETs for your switching or linear application, and verify it against the datasheet's test conditions. | 12.0 |
Output Capacitance (Typ) Typical output capacitance (Coss) of a power semiconductor, measured between drain and source. It affects switching losses and high-frequency behavior. Compare values when designing snubbers or resonant converters. Always verify against the datasheet for your operating conditions. | 174.0 |
VGSth [typ] (V) Typical gate-source threshold voltage at which the MOSFET begins to conduct. Check this value to ensure proper gate drive voltage levels in your switching application. Compare with min and max values from datasheet. | 1.35 |
Ciss [typ] (pF) Typical input capacitance of a MOSFET, measured in picofarads. It affects gate drive requirements and switching speed. Compare this value with the datasheet to ensure your driver can handle the charge and to optimize switching performance. | 405.0 |
Release Date Indicates when the component was first introduced to the market. Useful for assessing product maturity, lifecycle stage, and availability. Check the datasheet for the exact release date and compare with similar parts to ensure long-term supply. | 2024-04-03 |
Документы уведомлений
PCN / product notice documents
Публичные PCN / PDN записи сейчас не показаны
Для GANB012-040CBA сейчас не показан публичный product notice document. Подтвердите PCN, PDN, EOL, date code и lifecycle status во время RFQ до производственной закупки.
Связанные варианты закупки
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
Частые вопросы
FAQ по товару
Точные ответы для покупателей, которые проверяют ordering code GANB012-040CBA, упаковку, наличие, datasheet и путь замены.
Что означает GANB012-040CBA?
GANB012-040CBA — это точный ordering code для компонента категории GaN FETs от Nexperia. Текущий корпус указан как WLCSP12_SOT8088, а контекст позиции включает -. Используйте полный код при запросе склада, цены, datasheet или compliance-подтверждения.
Как покупателям проверить ordering code GANB012-040CBA?
Рассматривайте GANB012-040CBA как полный ordering code при RFQ и инженерной проверке. Подтвердите указанный корпус WLCSP12_SOT8088, документацию производителя Nexperia, ordering table в datasheet, reel или packing details и требования внутреннего утверждения до замены или выпуска PO.
В каком корпусе поставляется GANB012-040CBA?
GANB012-040CBA сейчас указан с корпусом WLCSP12_SOT8088 от Nexperia. Перед утверждением закупки подтвердите manufacturer package drawing, footprint, pinout, tape-and-reel данные и требования к приемке.
GANB012-040CBA сейчас доступен для заказа?
GANB012-040CBA сейчас помечен на странице как позиция с наличием. Перед заказом подтвердите корпус (WLCSP12_SOT8088), указанный склад (116199), доступное количество (87735), нужное количество, срок поставки, финальную цену, compliance-требования и совпадение точного ordering code через RFQ.
Где сравнить альтернативы для GANB012-040CBA?
Для GANB012-040CBA сейчас не опубликован список связанных альтернатив. Отправьте RFQ с количеством, ограничениями по корпусу и требованиями к утверждению, чтобы TrustCompo помогла проверить возможные replacement options.





