Поставка оригинальных NSF040120L3A0, SiC MOSFETs, от Nexperia

Поставка оригинальных NSF040120L3A0, SiC MOSFETs, от Nexperia | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
NSF040120L3A0
Внутренний код
TCE000023357
Упаковка
SOT429-2
Серия
-
Основные характеристики
-
Описание
-
Минимальное количество
1
Производитель
Nexperia
Категория
MOSFETs
Подкатегория
SiC MOSFETs
Техническое описание
-

Доступность

В наличии1,000,000,165
Доступно1,000,000,255

Диапазон цен

Пока нет данных

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Attribute

Drain-source on-state resistance at 15 V (mΩ)
40
Drain-source on-state resistance at 18 V (mΩ)
31
QG(tot) [typ] (nC)
95
Tj [max] (°C)
175
Qualification
INDUSTRIAL
ID [max] (A)
65
Product status
Production
Manufacturer
Nexperia
Rth(j-c) [typ] (K/W)
0.4
Drain-source breakdown voltage (V)
1200
Package name
TO-247-3L
Size (mm)
20.95 x 15.94 x 5.02

Статьи

Это руководство представляет собой прямое сравнение поколений HBM (вплоть до HBM3e), анализирует рыночный ландшафт, в котором доминируют SK Hynix, Samsung и Micron, и предлагает важнейший контрольный список для закупок. Оно завершается практическим примером, дающим рекомендации по требованиям к емкости и пропускной способности (например, для LLM с 175 млрд параметров), что позволяет компаниям принимать обоснованные решения для своих высокопроизводительных систем ИИ.

Кризис Nexperia, вызванный геополитическим противостоянием с законным поглощением и ответными санкциями, представляет собой самый серьезный риск для глобальной цепочки поставок полупроводников за последнее время, требуя немедленного анализа узких мест в поставках и влияния на цены для всех покупателей компонентов.

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.