Что такое 2SB1316TL?
2SB1316TL — это компонент категории Транзисторы биполярные (BJT) одиночные от Rohm Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных 2SB1316TL, Транзисторы биполярные (BJT) одиночные, от Rohm Semiconductor
TRANS PNP DARL 100V 2A SOT-428
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы биполярные (BJT) одиночныеОписание
TRANS PNP DARL 100V 2A SOT-428
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для 2SB1316TL от Rohm Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
TRANS PNP DARL 100V 2A SOT-428
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Factory Lead Time
20 Weeks
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Factory Lead Time
20 Weeks
Mounting Type
Surface Mount
Published
2004
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Subcategory
Other Transistors
Voltage - Rated DC
-100V
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Pin Count
3
Power Dissipation
1W
Contact Plating
Copper, Tin
Length
6.5mm
Gain Bandwidth Product
50MHz
Voltage
100V
Current
2A
Width
5.5mm
Reflow Temperature-Max (s)
10
Current Rating
-2A
Height
2.3mm
Manufacturer
Rohm Semiconductor
Case Connection
COLLECTOR
Collector Emitter Voltage (VCEO)
100V
HTS Code
8541.29.00.75
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1mA, 1A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5V
Continuous Collector Current
-2A
Collector Base Voltage (VCBO)
100V
Additional Feature
BUILT-IN BIAS RESISTOR
Sub-Categories
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 1A 2V
Transition Frequency
50MHz
Collector Emitter Breakdown Voltage
100V
hFE Min
1000
Operating Temperature
150°C TJ
Emitter Base Voltage (VEBO)
8V
Transistor Application
AMPLIFIER
Polarity
PNP
Current - Collector Cutoff (Max)
10μA ICBO
Max Collector Current
2A
Manufacturer's Part No.
2SB1316TL
Max Power Dissipation
10W
Base Part Number
2SB1316
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-609 Code
e2
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
ECCN Code
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Number of Elements
2
Transistor Type
PNP - Darlington
Max Breakdown Voltage
100V
Terminal Finish
Tin/Copper (Sn98Cu2)
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют 2SB1316TL, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для 2SB1316TL?
Для 2SB1316TL указан корпус SOT-428. Текущее описание товара: TRANS PNP DARL 100V 2A SOT-428. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли 2SB1316TL в наличии?
Сейчас на странице указано 90569 шт. на складе и 90934 шт. доступно для 2SB1316TL. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для 2SB1316TL?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для 2SB1316TL от Rohm Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для 2SB1316TL?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для 2SB1316TL от Rohm Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом 2SB1316TL?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для 2SB1316TL.
Транзисторы биполярные (BJT) одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FMMT718TA
159 покупали
SOT23
RoHS
TRANS PNP 20V 1.5A SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.06Добавить в список RFQ
FZT1049ATA
129 покупали
SOT-223
RoHS
TRANS NPN 25V 5A SOT-223
Ориентировочная цена
$0.21Добавить в список RFQ
FZT1053ATA
203 покупали
SOT-223
RoHS
TRANS NPN 75V 4.5A SOT-223
Ориентировочная цена
$0.17Добавить в список RFQ
FZT751TA
211 покупали
SOT-223
RoHS
TRANS PNP 60V 3A SOT-223
Ориентировочная цена
$0.09Добавить в список RFQ
BCX5316TA
184 покупали
SOT-89
RoHS
TRANS PNP 80V 1A SOT-89
Ориентировочная цена
$0.06Добавить в список RFQ
2SD1980TL
192 покупали
SOT-428
RoHS
TRANS NPN DARL 100V 2A SOT-428
Ориентировочная цена
$0.33Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.