Поставка оригинальных NTMS5P02R2G, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

Поставка оригинальных NTMS5P02R2G, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

NTMS5P02R2G

Внутренний код

TCE000037740

Упаковка

8-SOIC

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для NTMS5P02R2G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Surface Mount
YES
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Width
4mm
Height
1.5mm
Pbfree Code
yes
Length
5mm
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Pin Count
8
Power Dissipation
2.5W
Voltage - Rated DC
-20V
Drain to Source Breakdown Voltage
-20V
Factory Lead Time
38 Weeks
Fall Time (Typ)
55 ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
2.5V 4.5V
Resistance
26MOhm
Gate to Source Voltage (Vgs)
10V
Nominal Vgs
-900 mV
Continuous Drain Current (ID)
5.4A
Power Dissipation-Max
790mW Ta
Vgs (Max)
±10V
Drain Current-Max (Abs) (ID)
3.95A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33m Ω @ 5.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 16V
Manufacturer's Part No.
NTMS5P02R2G
Current Rating
-5.4A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.95A Ta
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250μA
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Turn-Off Delay Time
70 ns
Rise Time
25ns
Turn On Delay Time
22 ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NTMS5P02R2G, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое NTMS5P02R2G?

NTMS5P02R2G — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для NTMS5P02R2G?

Для NTMS5P02R2G указан корпус 8-SOIC. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли NTMS5P02R2G в наличии?

Сейчас на странице указано 12877 шт. на складе и 21558 шт. доступно для NTMS5P02R2G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для NTMS5P02R2G?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NTMS5P02R2G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для NTMS5P02R2G?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для NTMS5P02R2G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом NTMS5P02R2G?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NTMS5P02R2G.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.