Поставка оригинальных LF353DR, Линейные - Усилители - Инструментальные, Операционные усилители, Буферные усилители, от Texas Instruments

IC OPAMP JFET 3MHZ 8SOIC

RoHS
Поставка оригинальных LF353DR, Линейные - Усилители - Инструментальные, Операционные усилители, Буферные усилители, от Texas Instruments | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

LF353DR

Внутренний код

TCE000039146

Упаковка

8SOIC

Производитель

Texas Instruments

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Описание

IC OPAMP JFET 3MHZ 8SOIC

Основные характеристики

-

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

NECs NX8564/8565/8566LE Series is an Electro-Absorption (EA) modulator integrated, 1550 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode.
The module is capable of 2.5 Gb/s applications of over 360 km, 600 km, 240 km ultralong-reach and available for Dense Wavelength Division Multiplexing (DWDM) wavelengths based on ITU-T recommendations, enabling a wide range of applications.
FEATURES
• INTEGRATED ELECTROABSORPTION MODULATOR
• VERY LOW DISPERSION PENALTY: Over 360 km (6480 ps/nm), NX8564LE-BC/CC Over 600 km (10800 ps/nm), NX8565LE-BC/CC Over 240 km (4320 ps/nm), NX8566LE-BC/CC
• LOW MODULATION VOLTAGE
• AVAILABLE FOR DWDM WAVELENGTH BASED ON ITU-T RECOMMENDATION 100 GHz grid, refer to ORDERING INFORMATION

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

REACH SVHC

No SVHC

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e4

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8542.33.0001

Export Classifications & Environmental

ECCN Code

EAR99

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-609 Code
e4
HTSUS
8542.33.0001
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
6 Weeks
Packaging
Cut Tape (CT)
Categories
Integrated Circuits (ICs)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Qualification Status
Not Qualified
Manufacturer
Texas
Width
3.91mm
Height
1.75mm
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Subcategory
Operational Amplifier
Sub-Categories
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
Max Power Dissipation
500mW
Packing Method
TR
Architecture
VOLTAGE-FEEDBACK
Operating Temperature
0°C~70°C
Input Offset Voltage (Vos)
10mV
Bandwidth
3MHz
Slew Rate
13V/μs
Technology
JFET
Contact Plating
Gold
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Functions
2
Supply Voltage
15V
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Pin Count
8
Thickness
1.58mm
Length
4.9mm
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Common Mode Rejection Ratio
70 dB
Operating Supply Current
3.6mA
Nominal Supply Current
6.5mA
Power Dissipation
500mW
Base Part Number
LF353
Manufacturer's Part No.
LF353DR
Voltage Gain
100dB
Unity Gain BW-Nom
3000 kHz
Amplifier Type
J-FET
Power Supplies
+-15V
Neg Supply Voltage-Nom (Vsup)
-15V
Dual Supply Voltage
9V
Number of Channels
2
Frequency Compensation
YES
Low-Bias
YES
Micropower
NO
Programmable Power
NO
Low-Offset
NO
Current - Input Bias
50pA
Voltage - Input Offset
5mV
Input Offset Current-Max (IIO)
0.004μA
Voltage - Supply, Single/Dual (±)
±3.5V~18V

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют LF353DR, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое LF353DR?

LF353DR — это компонент категории Линейные - Усилители - Инструментальные, Операционные усилители, Буферные усилители от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для LF353DR?

Для LF353DR указан корпус 8SOIC. Текущее описание товара: IC OPAMP JFET 3MHZ 8SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли LF353DR в наличии?

Сейчас на странице указано 52109 шт. на складе и 80316 шт. доступно для LF353DR. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для LF353DR?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для LF353DR от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для LF353DR?

Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для LF353DR от Texas Instruments. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.

Что нужно проверить перед заказом LF353DR?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для LF353DR.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.