Что такое FDN308P?
FDN308P — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDN308P, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDN308P от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
12 ns
Product Parameter
Terminal Finish
Tin (Sn)
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Product Parameter
Turn On Delay Time
8 ns
Product Parameter
Rise Time
10ns
Turn-Off Delay Time
12 ns
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Turn On Delay Time
8 ns
Rise Time
10ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Published
2001
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
10 Weeks
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Qualification Status
Not Qualified
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Weight
30mg
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Height
940μm
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Series
PowerTrench®
Power Dissipation-Max
500mW Ta
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Voltage - Rated DC
-20V
Drain to Source Breakdown Voltage
-20V
Number of Terminations
3
Power Dissipation
500mW
Width
1.4mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
Nominal Vgs
-1 V
Threshold Voltage
-1V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
2.5V 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Resistance
125MOhm
Length
2.92mm
Fall Time (Typ)
10 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.5A Ta
Current Rating
-1.5A
Manufacturer's Part No.
FDN308P
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125m Ω @ 1.5A, 4.5V
Continuous Drain Current (ID)
-1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
341pF @ 10V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDN308P, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDN308P?
Для FDN308P указан корпус SSOT-3. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDN308P в наличии?
Сейчас на странице указано 79778 шт. на складе и 56709 шт. доступно для FDN308P. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDN308P?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDN308P от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDN308P?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDN308P от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDN308P?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDN308P.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRF7473TRPBF
211 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$2.31Добавить в список RFQ
IRLL014NTRPBF
207 покупали
SOT223
RoHS
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Ориентировочная цена
$0.12Добавить в список RFQ
NDS0605
140 покупали
SOT-23
RoHS
MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Ориентировочная цена
$0.11Добавить в список RFQ
IPB019N06L3GATMA1
182 покупали
TO263
RoHS
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Ориентировочная цена
$18.86Добавить в список RFQ
FCB11N60TM
153 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.96Добавить в список RFQ
IRFR3505PBF
176 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Ориентировочная цена
$0.23Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.