Что такое SI2303BDS-T1-E3?
SI2303BDS-T1-E3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SI2303BDS-T1-E3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SI2303BDS-T1-E3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Published
2008
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2008
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Max Supply Voltage
36V
Min Supply Voltage
13V
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Resistance
200mOhm
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Pin Count
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Width
1.4mm
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Length
3.04mm
Voltage
30V
Power Dissipation
900mW
Fall Time (Typ)
40 ns
Height
1.02mm
Threshold Voltage
-3V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Nominal Vgs
-3 V
Power Dissipation-Max
700mW Ta
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 15V
Manufacturer's Part No.
SI2303BDS-T1-E3
Continuous Drain Current (ID)
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200m Ω @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.49A Ta
Current
164A
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Turn-Off Delay Time
10 ns
Max Dual Supply Voltage
22V
Turn On Delay Time
55 ns
Min Dual Supply Voltage
7V
Number of Elements
1
Rise Time
40ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI2303BDS-T1-E3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SI2303BDS-T1-E3?
Для SI2303BDS-T1-E3 указан корпус SOT23. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SI2303BDS-T1-E3 в наличии?
Сейчас на странице указано 97832 шт. на складе и 19946 шт. доступно для SI2303BDS-T1-E3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SI2303BDS-T1-E3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI2303BDS-T1-E3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SI2303BDS-T1-E3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI2303BDS-T1-E3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SI2303BDS-T1-E3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI2303BDS-T1-E3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
SIR892DP-T1-GE3
195 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Ориентировочная цена
$1.35Добавить в список RFQ
IRFZ48NPBF
210 покупали
TO-220
RoHS
N-Channel 55V 64A 4V @ 250uA 14mΩ @ 32A,10V 130W TO-220(TO-220-3) MOSFET RoHS
Ориентировочная цена
$0.31Добавить в список RFQ
FDC604P
128 покупали
SSOT-6
RoHS
MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.23Добавить в список RFQ
IRFB4410ZPBF
135 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.30Добавить в список RFQ
IRF540ZPBF
148 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.42Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.