Поставка оригинальных HN2D02FUTW1T1G, Диоды - Выпрямители - Массивы, от ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88

Поставка оригинальных HN2D02FUTW1T1G, Диоды - Выпрямители - Массивы, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

HN2D02FUTW1T1G

Внутренний код

TCE000043124

Упаковка

SC88

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Описание

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для HN2D02FUTW1T1G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Min Operating Temperature
-55°C
Factory Lead Time
5 Weeks
Published
2005
Halogen Free
Halogen Free
Packaging
Cut Tape (CT)
Length
2.2mm
Width
1.35mm
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Manufacturer
ON Semiconductor
Categories
Discrete Semiconductor Products
HTS Code
8541.10.00.70
Sub-Categories
Diodes - Rectifiers - Arrays
Subcategory
Other Diodes
Surface Mount
YES
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Pin Count
6
Height
1mm
Power Dissipation
300mW
Max Operating Temperature
150°C
Voltage - Rated DC
85V
Current Rating
100mA
Current - Average Rectified (Io)
100mA DC
Diode Configuration
3 Independent
Recovery Time
3 ns
Base Part Number
HN2D02
Manufacturer's Part No.
HN2D02FUTW1T1G
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.10.0070
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
Speed
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Diode Element Material
SILICON
Diode Type
Standard
Capacitance
2pF
Forward Voltage
1.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.2V @ 100mA
Forward Current
100mA
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
85V
Peak Reverse Current
100nA
Number of Elements
3
Max Surge Current
1A
Max Reverse Voltage (DC)
80V
Average Rectified Current
100mA
Operating Temperature - Junction
150°C Max
Peak Non-Repetitive Surge Current
1A
Max Forward Surge Current (Ifsm)
1A
Reverse Recovery Time
3 ns
Reverse Voltage
80V
Current - Reverse Leakage @ Vr
100nA @ 75V

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют HN2D02FUTW1T1G, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое HN2D02FUTW1T1G?

HN2D02FUTW1T1G — это компонент категории Диоды - Выпрямители - Массивы от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для HN2D02FUTW1T1G?

Для HN2D02FUTW1T1G указан корпус SC88. Текущее описание товара: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли HN2D02FUTW1T1G в наличии?

Сейчас на странице указано 18000 шт. на складе и 18000 шт. доступно для HN2D02FUTW1T1G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для HN2D02FUTW1T1G?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для HN2D02FUTW1T1G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для HN2D02FUTW1T1G?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для HN2D02FUTW1T1G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом HN2D02FUTW1T1G?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для HN2D02FUTW1T1G.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.