Что такое FDS6675?
FDS6675 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDS6675, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDS6675 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
1999
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
18 Weeks
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Series
PowerTrench®
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Power Dissipation
2.5W
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Weight
130mg
Power Dissipation-Max
2.5W Ta
Additional Feature
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Voltage - Rated DC
-30V
Drain to Source Breakdown Voltage
-30V
Threshold Voltage
-1.7V
Nominal Vgs
-1.7 V
Fall Time (Typ)
100 ns
Current Rating
-11A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A Ta
Resistance
14mOhm
Continuous Drain Current (ID)
11A
Base Part Number
FDS6675
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14m Ω @ 11A, 10V
Manufacturer's Part No.
FDS6675
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 5V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Rise Time
16ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Dual Supply Voltage
-30V
Turn On Delay Time
12 ns
Turn-Off Delay Time
50 ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDS6675, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDS6675?
Для FDS6675 указан корпус 8-SOIC. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDS6675 в наличии?
Сейчас на странице указано 29804 шт. на складе и 21766 шт. доступно для FDS6675. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDS6675?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDS6675 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDS6675?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDS6675 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDS6675?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDS6675.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FQD19N10LTM
170 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Ориентировочная цена
$0.70Добавить в список RFQ
IRF2804PBF
178 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.53Добавить в список RFQ
IRF8010STRLPBF
142 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.72Добавить в список RFQ
FDB2614
224 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Ориентировочная цена
$2.72Добавить в список RFQ
FDB2552
212 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB
Ориентировочная цена
$1.11Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.