Поставка оригинальных MMBZ6V8ALT1G, TVS - Диоды, от ON Semiconductor

TVS DIODE 4.5V 9.6V SOT23-3

Поставка оригинальных MMBZ6V8ALT1G, TVS - Диоды, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

MMBZ6V8ALT1G

Внутренний код

TCE000043868

Упаковка

SOT23

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Категория

Защита цепи

Подкатегория

TVS - Диоды

Описание

TVS DIODE 4.5V 9.6V SOT23-3

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для MMBZ6V8ALT1G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

TVS DIODE 4.5V 9.6V SOT23-3

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Number of Elements

2

Product Parameter

Diode Element Material

SILICON

Product Parameter

Power Line Protection

No

Product Parameter

Test Current

1mA

Product Parameter

Unidirectional Channels

2

Product Parameter

Peak Pulse Power

24W

Number of Elements
2
Diode Element Material
SILICON
Power Line Protection
No
Test Current
1mA
Unidirectional Channels
2
Peak Pulse Power
24W
Max Reverse Leakage Current
500nA
Leakage Current
500nA
Max Surge Current
2.5A
Reverse Breakdown Voltage
6.46V
Reverse Standoff Voltage
4.5V
Peak Pulse Current
2.5A
Breakdown Voltage
6.46V
Max Breakdown Voltage
7.14V
Clamping Voltage
9.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp
9.6V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.10.0080
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Published
2007
Factory Lead Time
4 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Manufacturer
ON Semiconductor
Categories
Circuit Protection
Type
Zener
Sub-Categories
TVS - Diodes
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Direction
Unidirectional
HTS Code
8541.10.00.50
Element Configuration
Common Anode
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Surface Mount
YES
Contact Plating
Tin
Reflow Temperature-Max (s)
40
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Pin Count
3
Length
2.9mm
Number of Terminations
3
Voltage - Rated DC
6.8V
ESD Protection
Yes
Applications
General Purpose
Depth
1.3mm
Width
1.4mm
Height
1.01mm
Base Part Number
MMBZ*A
Power Rating
24W
Power Dissipation
24W
Max Power Dissipation
24W
Working Voltage
4.5V
Operating Supply Voltage
4.5V
Manufacturer's Part No.
MMBZ6V8ALT1G

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют MMBZ6V8ALT1G, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое MMBZ6V8ALT1G?

MMBZ6V8ALT1G — это компонент категории TVS - Диоды от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для MMBZ6V8ALT1G?

Для MMBZ6V8ALT1G указан корпус SOT23. Текущее описание товара: TVS DIODE 4.5V 9.6V SOT23-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли MMBZ6V8ALT1G в наличии?

Сейчас на странице указано 74513 шт. на складе и 63892 шт. доступно для MMBZ6V8ALT1G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для MMBZ6V8ALT1G?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для MMBZ6V8ALT1G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для MMBZ6V8ALT1G?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для MMBZ6V8ALT1G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом MMBZ6V8ALT1G?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для MMBZ6V8ALT1G.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.