Поставка оригинальных MMBZ18VALT1G, TVS - Диоды, от ON Semiconductor

TVS DIODE 14.5V 25V SOT23-3

Поставка оригинальных MMBZ18VALT1G, TVS - Диоды, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

MMBZ18VALT1G

Внутренний код

TCE000043874

Упаковка

SOT23

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Категория

Защита цепи

Подкатегория

TVS - Диоды

Описание

TVS DIODE 14.5V 25V SOT23-3

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для MMBZ18VALT1G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

The MMBZ18VALT1G is a Zener diode manufactured by ON Semiconductor, designed for voltage regulation and protection applications. This component is part of the MMBZ series, which is known for its reliability and performance in various electronic circuits.

Key Features:

  1. Zener Voltage: The MMBZ18VALT1G has a nominal Zener voltage of 18V, which makes it suitable for applications requiring voltage clamping or regulation around this value.

  2. Power Dissipation: It has a maximum power dissipation rating of 500 mW, allowing it to handle moderate power levels without overheating.

  3. Package Type: The diode is housed in a small SOT-23 package, which is a surface-mount technology (SMT) package. This compact size makes it ideal for space-constrained applications, such as in portable devices or densely packed circuit boards.

  4. Temperature Range: The operating temperature range for the MMBZ18VALT1G is typically from -55°C to +150°C, making it suitable for a wide variety of environmental conditions.

  5. Low Leakage Current: The device features low reverse leakage current, which is beneficial for maintaining efficiency in circuits where the Zener diode is used for voltage regulation.

  6. Fast Response Time: The diode is designed for fast response times, which is crucial in applications where quick voltage regulation is necessary.

  7. Applications: Common applications for the MMBZ18VALT1G include voltage regulation, over-voltage protection, and clamping in power supplies, automotive electronics, and consumer electronics.

Electrical Characteristics:

  • Zener Impedance: The Zener impedance is typically low, ensuring stable performance under varying load conditions.
  • Reverse Voltage: The maximum reverse voltage rating is higher than the Zener voltage, providing a safety margin for circuit designs.

Conclusion:

The MMBZ18VALT1G from ON Semiconductor is a versatile and reliable Zener diode that offers excellent performance for voltage regulation and protection in a compact package. Its combination of low leakage, fast response, and wide operating temperature range makes it a popular choice among engineers for various electronic applications.

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Number of Elements

2

Product Parameter

Diode Element Material

SILICON

Product Parameter

Power Line Protection

No

Product Parameter

Test Current

1mA

Product Parameter

Unidirectional Channels

2

Product Parameter

Peak Pulse Power

40W

Number of Elements
2
Diode Element Material
SILICON
Power Line Protection
No
Test Current
1mA
Unidirectional Channels
2
Peak Pulse Power
40W
Max Reverse Leakage Current
50nA
Max Surge Current
1.6A
Peak Pulse Current
1.6A
Leakage Current
50nA
Breakdown Voltage
17.1V
Clamping Voltage
25V
Reverse Breakdown Voltage
17.1V
Max Breakdown Voltage
18.9V
Reverse Standoff Voltage
14.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp
25V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.10.0080
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2007
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Factory Lead Time
4 Weeks
Termination
SMD/SMT
Packaging
Cut Tape (CT)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Manufacturer
ON Semiconductor
Categories
Circuit Protection
Type
Zener
Sub-Categories
TVS - Diodes
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Direction
Unidirectional
HTS Code
8541.10.00.50
Element Configuration
Common Anode
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation
40W
Surface Mount
YES
Contact Plating
Tin
Reflow Temperature-Max (s)
40
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Pin Count
3
Length
2.9mm
Number of Terminations
3
ESD Protection
Yes
Applications
General Purpose
Depth
1.3mm
Width
1.4mm
Power Rating
40W
Max Power Dissipation
225mW
Height
1.01mm
Base Part Number
MMBZ*A
Voltage - Rated DC
18V
Manufacturer's Part No.
MMBZ18VALT1G
Operating Supply Voltage
14.5V
Working Voltage
14.5V

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют MMBZ18VALT1G, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое MMBZ18VALT1G?

MMBZ18VALT1G — это компонент категории TVS - Диоды от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для MMBZ18VALT1G?

Для MMBZ18VALT1G указан корпус SOT23. Текущее описание товара: TVS DIODE 14.5V 25V SOT23-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли MMBZ18VALT1G в наличии?

Сейчас на странице указано 35081 шт. на складе и 32116 шт. доступно для MMBZ18VALT1G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для MMBZ18VALT1G?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для MMBZ18VALT1G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для MMBZ18VALT1G?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для MMBZ18VALT1G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом MMBZ18VALT1G?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для MMBZ18VALT1G.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.