Поставка оригинальных MMBZ12VALT1G, TVS - Диоды, от ON Semiconductor

TVS DIODE 8.5V 17V SOT23-3

Поставка оригинальных MMBZ12VALT1G, TVS - Диоды, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

MMBZ12VALT1G

Внутренний код

TCE000043878

Упаковка

SOT23

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Категория

Защита цепи

Подкатегория

TVS - Диоды

Описание

TVS DIODE 8.5V 17V SOT23-3

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для MMBZ12VALT1G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

TVS DIODE 8.5V 17V SOT23-3

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Published

2007

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2007
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Factory Lead Time
4 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Manufacturer
ON Semiconductor
Categories
Circuit Protection
Type
Zener
Sub-Categories
TVS - Diodes
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Direction
Unidirectional
Element Configuration
Common Anode
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation
40W
Surface Mount
YES
Contact Plating
Tin
Reflow Temperature-Max (s)
40
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Pin Count
3
Length
2.9mm
Number of Terminations
3
ESD Protection
Yes
Applications
General Purpose
Depth
1.3mm
Width
1.4mm
Power Rating
40W
Voltage - Rated DC
12V
Height
1.01mm
Base Part Number
MMBZ*A
Number of Bidirectional Channels
1
Working Voltage
8.5V
Operating Supply Voltage
8.5V
Max Output Current
2.35A
Manufacturer's Part No.
MMBZ12VALT1G
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.10.0080
ECCN Code
EAR99
Forward Voltage
900mV
Number of Elements
2
Diode Element Material
SILICON
Power Line Protection
No
Test Current
1mA
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp
17V
Clamping Voltage
17V
Leakage Current
200nA
Max Reverse Leakage Current
200nA
Peak Pulse Power
40W
Peak Pulse Current
2.35A
Reverse Standoff Voltage
8.5V
Max Breakdown Voltage
12.6V
Reverse Breakdown Voltage
11.4V
Max Surge Current
2.35A
Breakdown Voltage
11.4V

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют MMBZ12VALT1G, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое MMBZ12VALT1G?

MMBZ12VALT1G — это компонент категории TVS - Диоды от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для MMBZ12VALT1G?

Для MMBZ12VALT1G указан корпус SOT23. Текущее описание товара: TVS DIODE 8.5V 17V SOT23-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли MMBZ12VALT1G в наличии?

Сейчас на странице указано 29612 шт. на складе и 13961 шт. доступно для MMBZ12VALT1G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для MMBZ12VALT1G?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для MMBZ12VALT1G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для MMBZ12VALT1G?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для MMBZ12VALT1G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом MMBZ12VALT1G?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для MMBZ12VALT1G.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.