Что такое ISL9R3060G2?
ISL9R3060G2 — это компонент категории Диоды - Выпрямители - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных ISL9R3060G2, Диоды - Выпрямители - Одиночные, от ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
Stealth™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Диоды - Выпрямители - ОдиночныеОписание
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для ISL9R3060G2 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.10.0080
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.10.0080
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Number of Elements
1
Number of Phases
1
Diode Element Material
SILICON
Diode Type
Standard
Operating Temperature - Junction
-55°C~175°C
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
600V
Reverse Voltage
600V
Max Reverse Voltage (DC)
600V
Peak Reverse Current
100μA
Forward Current
30A
Capacitance
120pF
Max Surge Current
325A
Current - Reverse Leakage @ Vr
100μA @ 600V
Peak Non-Repetitive Surge Current
325A
Forward Voltage
2.4V
Application
FAST SOFT RECOVERY
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
2.4V @ 30A
Reverse Recovery Time
45 ns
Average Rectified Current
30A
Max Forward Surge Current (Ifsm)
325A
Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Min Operating Temperature
-55°C
Published
2004
Factory Lead Time
4 Weeks
Element Configuration
Single
Length
15.87mm
Manufacturer
ON Semiconductor
Categories
Discrete Semiconductor Products
Technology
AVALANCHE
Subcategory
Rectifier Diodes
HTS Code
8541.10.00.80
Sub-Categories
Diodes - Rectifiers - Single
Power Dissipation
200W
Case Connection
CATHODE
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Terminations
2
Number of Pins
2
Max Operating Temperature
175°C
Voltage - Rated DC
600V
Current Rating
30A
Width
4.82mm
Additional Feature
FREEWHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
Recovery Time
45 ns
Series
Stealth™
Weight
6.33g
Height
20.82mm
Package / Case
TO-247-2
Manufacturer's Part No.
ISL9R3060G2
Output Current
30A
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют ISL9R3060G2, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для ISL9R3060G2?
Для ISL9R3060G2 указан корпус TO247. Текущее описание товара: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли ISL9R3060G2 в наличии?
Сейчас на странице указано 32248 шт. на складе и 32248 шт. доступно для ISL9R3060G2. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для ISL9R3060G2?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для ISL9R3060G2 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для ISL9R3060G2?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для ISL9R3060G2 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом ISL9R3060G2?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для ISL9R3060G2.
Диоды - Выпрямители - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
B1100-13-F
193 покупали
SMA
RoHS
DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA
Ориентировочная цена
$0.02Добавить в список RFQ
MBR40250G
209 покупали
TO220
RoHS
DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220-2
Ориентировочная цена
$1.41Добавить в список RFQ
MBRD340T4G
137 покупали
TO-252-3
RoHS
DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK
Ориентировочная цена
$0.38Добавить в список RFQ
SD101CWS-7
179 покупали
SOD323
RoHS
DIODE SCHOTTKY 40V 15MA SOD323
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
RS2B-E3/52T
130 покупали
SMB
RoHS
DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA
Ориентировочная цена
$0.15Добавить в список RFQ
MUR160G
133 покупали
DO-41
RoHS
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Ориентировочная цена
$0.10Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.