Что такое ISL9R30120G2?
ISL9R30120G2 — это компонент категории Диоды - Выпрямители - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных ISL9R30120G2, Диоды - Выпрямители - Одиночные, от ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
Stealth™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Диоды - Выпрямители - ОдиночныеОписание
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для ISL9R30120G2 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Product Attribute
Mounting Type
Through Hole
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Min Operating Temperature
-55°C
Published
2002
Element Configuration
Single
Factory Lead Time
2 Weeks
Length
15.87mm
Manufacturer
ON Semiconductor
Categories
Discrete Semiconductor Products
Subcategory
Rectifier Diodes
HTS Code
8541.10.00.80
Sub-Categories
Diodes - Rectifiers - Single
Case Connection
CATHODE
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Terminations
2
Number of Pins
2
Current Rating
30A
Max Operating Temperature
150°C
Width
4.82mm
Recovery Time
100 ns
Series
Stealth™
Additional Feature
FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
Voltage - Rated DC
1.2kV
Weight
6.33g
Height
20.82mm
Package / Case
TO-247-2
Output Current
30A
Power Dissipation
166W
Manufacturer's Part No.
ISL9R30120G2
Terminal Finish
Tin (Sn)
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Number of Elements
1
Number of Phases
1
Diode Element Material
SILICON
Diode Type
Standard
Operating Temperature - Junction
-55°C~150°C
Reverse Recovery Time
100 ns
Forward Current
30A
Peak Reverse Current
1mA
Max Surge Current
325A
Peak Non-Repetitive Surge Current
325A
Application
FAST SOFT RECOVERY
Average Rectified Current
30A
Max Forward Surge Current (Ifsm)
325A
Current - Reverse Leakage @ Vr
100μA @ 1200V
Forward Voltage
3.3V
Reverse Voltage
1.2kV
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1200V
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
1.2kV
Max Reverse Voltage (DC)
1.2kV
Capacitance
115pF
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
3.3V @ 30A
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.10.0080
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют ISL9R30120G2, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для ISL9R30120G2?
Для ISL9R30120G2 указан корпус TO247. Текущее описание товара: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли ISL9R30120G2 в наличии?
Сейчас на странице указано 24610 шт. на складе и 24610 шт. доступно для ISL9R30120G2. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для ISL9R30120G2?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для ISL9R30120G2 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для ISL9R30120G2?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для ISL9R30120G2 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом ISL9R30120G2?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для ISL9R30120G2.
Диоды - Выпрямители - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
S2A-E3/52T
189 покупали
SMB
RoHS
DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AA
Ориентировочная цена
$0.05Добавить в список RFQ
US1G-13-F
173 покупали
SMA
RoHS
DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
Ориентировочная цена
$0.04Добавить в список RFQ
MBRB4030T4G
203 покупали
TO-263-3
RoHS
DIODE SCHOTTKY 30V 40A D2PAK
Ориентировочная цена
$4.42Добавить в список RFQ
SD101CWS-7-F
145 покупали
SOD323
RoHS
DIODE SCHOTTKY 40V 15MA SOD323
Ориентировочная цена
$0.08Добавить в список RFQ
MUR2100ERLG
190 покупали
DO-41
RoHS
DIODE GEN PURP 1KV 2A AXIAL
Ориентировочная цена
$0.85Добавить в список RFQ
MBR120ESFT1G
216 покупали
RoHS
DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123L
Ориентировочная цена
$0.15Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.