Что такое FCD380N60E?
FCD380N60E — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FCD380N60E, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
SuperFET® II
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FCD380N60E от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Rise Time
9ns
Product Parameter
Turn On Delay Time
17 ns
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
64 ns
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Product Attribute
Part Status
Active
Number of Elements
1
Rise Time
9ns
Turn On Delay Time
17 ns
Turn-Off Delay Time
64 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
15 Weeks
Packaging
Digi-Reel®
Terminal Form
GULL WING
Published
2013
Reach Compliance Code
not_compliant
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
2.39mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
JEDEC-95 Code
TO-252AA
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Length
6.73mm
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Weight
260.37mg
Fall Time (Typ)
10 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250μA
HTS Code
8541.29.00.95
Drain to Source Breakdown Voltage
650V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1770pF @ 25V
Continuous Drain Current (ID)
10.2A
Base Part Number
FCD380N60
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10.2A Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380m Ω @ 5A, 10V
Power Dissipation
106W
Avalanche Energy Rating (Eas)
211.6 mJ
Series
SuperFET® II
Manufacturer's Part No.
FCD380N60E
Power Dissipation-Max
106W Tc
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FCD380N60E, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FCD380N60E?
Для FCD380N60E указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FCD380N60E в наличии?
Сейчас на странице указано 95771 шт. на складе и 95771 шт. доступно для FCD380N60E. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FCD380N60E?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FCD380N60E от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FCD380N60E?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FCD380N60E от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FCD380N60E?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FCD380N60E.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRF3805STRLPBF
181 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Ориентировочная цена
$2.64Добавить в список RFQ
IRLR3105PBF
152 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
IRF3315SPBF
212 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
STD45NF75T4
185 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 75V 40A DPAK
Ориентировочная цена
$0.60Добавить в список RFQ
FDP036N10A
202 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
Ориентировочная цена
$2.20Добавить в список RFQ
NDS355AN
154 покупали
SSOT3
RoHS
MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3
Ориентировочная цена
$0.12Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.