Поставка оригинальных CSD16410Q5A, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments

MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON

RoHS
Поставка оригинальных CSD16410Q5A, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

CSD16410Q5A

Внутренний код

TCE000044904

Упаковка

-

Производитель

Texas Instruments

Ключевые характеристики

Серия

NexFET™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON

Основные характеристики

-

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

The CSD16410Q5A is a high-performance N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Texas Instruments. It is designed for applications requiring efficient power management, such as in DC-DC converters, power supplies, and motor control systems.

Key Features:

  1. Voltage Rating: The CSD16410Q5A has a maximum drain-source voltage (V_DS) rating of 100V, making it suitable for high-voltage applications.

  2. Current Rating: It can handle continuous drain current (I_D) up to 50A, which allows it to manage significant power loads effectively.

  3. R_DS(on): The on-resistance (R_DS(on)) is exceptionally low, typically around 4.5 mΩ at a gate-source voltage (V_GS) of 10V. This low resistance minimizes power loss during operation, enhancing overall efficiency.

  4. Gate Threshold Voltage: The gate threshold voltage (V_GS(th)) is in the range of 1V to 2.5V, allowing for easy drive with low-voltage control signals.

  5. Package Type: The device is housed in a compact QFN (Quad Flat No-lead) package, which provides excellent thermal performance and minimizes parasitic inductance and capacitance, making it ideal for high-frequency applications.

  6. Thermal Performance: The CSD16410Q5A features a thermal resistance junction-to-case (RθJC) that allows for effective heat dissipation, ensuring reliable operation under high load conditions.

  7. Applications: This MOSFET is commonly used in synchronous rectification, power management circuits, and as a switch in various electronic devices. Its high efficiency and fast switching capabilities make it suitable for both consumer electronics and industrial applications.

Electrical Characteristics:

  • Maximum Gate-Source Voltage (V_GS): ±20V
  • Maximum Pulsed Drain Current (I_D,pulse): 100A
  • Total Gate Charge (Q_g): Approximately 30 nC, which indicates how much charge is required to turn the MOSFET on and off.

Performance:

The CSD16410Q5A is designed to operate efficiently at high frequencies, making it ideal for applications that require rapid switching. Its low gate charge and fast switching times contribute to reduced switching losses, which is critical in power conversion applications.

Conclusion:

Overall, the CSD16410Q5A from Texas Instruments is a robust and efficient N-channel MOSFET that is well-suited for a variety of power management applications. Its combination of high voltage and current ratings, low on-resistance, and compact packaging makes it a popular choice among engineers looking to optimize performance in their designs.

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

REACH SVHC

No SVHC

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.29.0095

Export Classifications & Environmental

ECCN Code

EAR99

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Turn-Off Delay Time
6.5 ns
Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
25V
Turn On Delay Time
6.2 ns
Rise Time
10.7ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Contains Lead
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
6 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Manufacturer
Texas
Element Configuration
Single
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Continuous Drain Current (ID)
59A
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250μA
Series
NexFET™
Package / Case
8-PowerTDFN
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Pin Count
8
Length
4.9mm
Width
6mm
Thickness
1mm
Power Dissipation
3W
Gate to Source Voltage (Vgs)
16V
Drain to Source Breakdown Voltage
25V
Vgs (Max)
+16V, -12V
Power Dissipation-Max
3W Ta
Nominal Vgs
1.9 V
Threshold Voltage
1.9V
Fall Time (Typ)
3.6 ns
Feedback Cap-Max (Crss)
52 pF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5m Ω @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A Ta 59A Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Manufacturer's Part No.
CSD16410Q5A
Base Part Number
CSD16410

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD16410Q5A, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое CSD16410Q5A?

CSD16410Q5A — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для CSD16410Q5A?

Для CSD16410Q5A указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли CSD16410Q5A в наличии?

Сейчас на странице указано 38361 шт. на складе и 31383 шт. доступно для CSD16410Q5A. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для CSD16410Q5A?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD16410Q5A от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для CSD16410Q5A?

Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для CSD16410Q5A от Texas Instruments. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.

Что нужно проверить перед заказом CSD16410Q5A?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD16410Q5A.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.