Что такое CSD16340Q3?
CSD16340Q3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Texas InstrumentsДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных CSD16340Q3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
RoHS
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
NexFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
Основные характеристики
-
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
4.8 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
Turn-Off Delay Time
13.8 ns
Rise Time
16.1ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Contains Lead
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
12 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Manufacturer
Texas
Element Configuration
Single
Height
1.1mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Series
NexFET™
Package / Case
8-PowerTDFN
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Pin Count
8
Thickness
1mm
Power Dissipation
3W
Length
3.3mm
Width
3.3mm
Power Dissipation-Max
3W Ta
Nominal Vgs
850 mV
Gate to Source Voltage (Vgs)
10V
Vgs (Max)
+10V, -8V
Continuous Drain Current (ID)
60A
Threshold Voltage
850mV
DS Breakdown Voltage-Min
25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5m Ω @ 20A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 12.5V
Feedback Cap-Max (Crss)
69 pF
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
2.5V 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A Ta 60A Tc
Base Part Number
CSD16340
Manufacturer's Part No.
CSD16340Q3
Fall Time (Typ)
5.2 ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD16340Q3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для CSD16340Q3?
Для CSD16340Q3 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 25V 60A 8SON. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли CSD16340Q3 в наличии?
Сейчас на странице указано 11882 шт. на складе и 10305 шт. доступно для CSD16340Q3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для CSD16340Q3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD16340Q3 от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для CSD16340Q3?
Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для CSD16340Q3 от Texas Instruments. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.
Что нужно проверить перед заказом CSD16340Q3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD16340Q3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
STD15NF10T4
197 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Ориентировочная цена
$5.60Добавить в список RFQ
IRFZ48ZSPBF
163 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
FQD10N20CTM
128 покупали
TO-252-3
RoHS
N-Channel 200V 7.8A(Tc) 4V @ 250uA 360mΩ @ 3.9A,10V 50W(Tc) D-PAK MOSFET RoHS
Ориентировочная цена
$0.26Добавить в список RFQ
IRF5210PBF
169 покупали
TO-
RoHS
MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.58Добавить в список RFQ
FDMS86300DC
179 покупали
2010
RoHS
MOSFET N CH 80V 24A 8-PQFN
Ориентировочная цена
$1.85Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.