Что такое STP55NF06?
STP55NF06 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от STMicroelectronics. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
STMicroelectronicsДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных STP55NF06, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
STripFET™ II
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для STP55NF06 от STMicroelectronics в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Mounting Type
Through Hole
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Packaging
Tube
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Factory Lead Time
12 Weeks
Element Configuration
Single
Manufacturer
STMicroelectronics
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Weight
4.535924g
Power Dissipation-Max
110W Tc
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Resistance
18MOhm
Package / Case
TO-220-3
Nominal Vgs
3 V
Series
STripFET™ II
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Current Rating
50A
Radiation Hardening
No
Length
10.4mm
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Pin Count
3
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Threshold Voltage
3V
Voltage - Rated DC
60V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
200A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Fall Time (Typ)
15 ns
Power Dissipation
30W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A Tc
Continuous Drain Current (ID)
50A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Width
4.6mm
Height
9.15mm
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18m Ω @ 27.5A, 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID)
55A
Manufacturer's Part No.
STP55NF06
Base Part Number
STP55N
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Turn-Off Delay Time
36 ns
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
20 ns
Dual Supply Voltage
60V
Rise Time
50ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют STP55NF06, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для STP55NF06?
Для STP55NF06 указан корпус TO-220. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли STP55NF06 в наличии?
Сейчас на странице указано 25000 шт. на складе и 25000 шт. доступно для STP55NF06. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для STP55NF06?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для STP55NF06 от STMicroelectronics. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для STP55NF06?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для STP55NF06 от STMicroelectronics, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом STP55NF06?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для STP55NF06.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
CSD18509Q5BT
151 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Ориентировочная цена
$1.09Добавить в список RFQ
STD5NM60T4
146 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Ориентировочная цена
$2.21Добавить в список RFQ
IRFU9024NPBF
162 покупали
TO-251-3
RoHS
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.19Добавить в список RFQ
SIR472DP-T1-GE3
210 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Ориентировочная цена
$0.32Добавить в список RFQ
FDD5690
182 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK
Ориентировочная цена
$0.62Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.