Что такое STD17NF25?
STD17NF25 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от STMicroelectronics. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
STMicroelectronicsДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных STD17NF25, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
STripFET™ II
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для STD17NF25 от STMicroelectronics в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
These Power MOSFETs have been developed using STMicroelectronics’ unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge.
This renders the devices suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DCDC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.
Features
Low gate charge
100% avalanche tested
Exceptional dv/dt capability
Application
Switching applications
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Factory Lead Time
12 Weeks
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
12 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
STMicroelectronics
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A Tc
Nominal Vgs
3 V
Series
STripFET™ II
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Pin Count
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Height
2.4mm
Width
6.2mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Threshold Voltage
3V
Length
6.6mm
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
68A
Drain to Source Breakdown Voltage
250V
Power Dissipation
90W
Power Dissipation-Max
90W Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 25V
Continuous Drain Current (ID)
8.5A
Base Part Number
STD17
Resistance
165mOhm
Manufacturer's Part No.
STD17NF25
Fall Time (Typ)
8.8 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165m Ω @ 8.5A, 10V
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
21 ns
Turn On Delay Time
8.8 ns
Dual Supply Voltage
250V
Rise Time
17.2ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют STD17NF25, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для STD17NF25?
Для STD17NF25 указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 250V 17A DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли STD17NF25 в наличии?
Сейчас на странице указано 90053 шт. на складе и 90053 шт. доступно для STD17NF25. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для STD17NF25?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для STD17NF25 от STMicroelectronics. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для STD17NF25?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для STD17NF25 от STMicroelectronics, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом STD17NF25?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для STD17NF25.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRLU2703PBF
226 покупали
TO-251-3
RoHS
MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
IRFU9120PBF
144 покупали
TO-251-3
RoHS
MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.72Добавить в список RFQ
FDP2532
224 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 150V 79A TO-220AB
Ориентировочная цена
$3.22Добавить в список RFQ
IRFS4410TRLPBF
197 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.84Добавить в список RFQ
IRLR7807ZTRPBF
218 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
Ориентировочная цена
$0.39Добавить в список RFQ
IRF3415STRLPBF
222 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.97Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.