Что такое FDN360P?
FDN360P — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDN360P, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDN360P от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Product Attribute
Published
2003
Product Attribute
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Published
2003
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
10 Weeks
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Subcategory
Other Transistors
Weight
30mg
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Series
PowerTrench®
Power Dissipation-Max
500mW Ta
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Power Dissipation
500mW
Width
1.4mm
Additional Feature
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Voltage - Rated DC
-30V
Drain to Source Breakdown Voltage
-30V
Height
1.22mm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Resistance
80mOhm
Fall Time (Typ)
6 ns
Length
2.92mm
Drain Current-Max (Abs) (ID)
2A
Current Rating
-2A
Continuous Drain Current (ID)
2A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A Ta
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
298pF @ 15V
Threshold Voltage
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80m Ω @ 2A, 10V
Manufacturer's Part No.
FDN360P
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Rise Time
13ns
Dual Supply Voltage
-30V
Turn On Delay Time
6 ns
Turn-Off Delay Time
11 ns
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDN360P, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDN360P?
Для FDN360P указан корпус SSOT3. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDN360P в наличии?
Сейчас на странице указано 42548 шт. на складе и 37566 шт. доступно для FDN360P. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDN360P?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDN360P от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDN360P?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDN360P от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDN360P?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDN360P.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDS9435A
202 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.19Добавить в список RFQ
IRFB4310PBF
196 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.75Добавить в список RFQ
FDD3706
150 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK
Ориентировочная цена
$0.77Добавить в список RFQ
FDD306P
138 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
Ориентировочная цена
$1.00Добавить в список RFQ
FDB3632
215 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.69Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.