Что такое FDC2512?
FDC2512 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDC2512, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 1.4A SSOT-6
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 150V 1.4A SSOT-6
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDC2512 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 150V 1.4A SSOT-6
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn On Delay Time
6.5 ns
Product Parameter
Rise Time
3.5ns
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
22 ns
Product Parameter
Dual Supply Voltage
150V
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
6.5 ns
Rise Time
3.5ns
Turn-Off Delay Time
22 ns
Dual Supply Voltage
150V
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
15 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
1.1mm
Width
1.7mm
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Published
2017
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Series
PowerTrench®
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Length
3mm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.4A Ta
Voltage
150V
Voltage - Rated DC
150V
Power Dissipation
1.6W
Drain to Source Breakdown Voltage
150V
Power Dissipation-Max
1.6W Ta
Continuous Drain Current (ID)
1.4A
Current
14A
Threshold Voltage
2.6V
Fall Time (Typ)
4 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Nominal Vgs
2.6 V
Resistance
425MOhm
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
344pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
425m Ω @ 1.4A, 10V
Current Rating
1.4A
Manufacturer's Part No.
FDC2512
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDC2512, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDC2512?
Для FDC2512 указан корпус SSOT-6. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 150V 1.4A SSOT-6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDC2512 в наличии?
Сейчас на странице указано 39296 шт. на складе и 27520 шт. доступно для FDC2512. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDC2512?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDC2512 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDC2512?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDC2512 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDC2512?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDC2512.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
STD7NS20T4
211 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
Ориентировочная цена
$0.79Добавить в список RFQ
IRLU2905ZPBF
179 покупали
TO-251-3
RoHS
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.70Добавить в список RFQ
SIA414DJ-T1-GE3
218 покупали
SC70-6
RoHS
MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6
Ориентировочная цена
$0.26Добавить в список RFQ
IRFS3107-7PPBF
143 покупали
TO-263-7
RoHS
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK-7
Ориентировочная цена
$3.84Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.