Что такое FQP27P06?
FQP27P06 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FQP27P06, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27A TO-220
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
QFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 60V 27A TO-220
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FQP27P06 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 60V 27A TO-220
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Turn On Delay Time
18 ns
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
30 ns
Product Parameter
Dual Supply Voltage
-60V
Product Parameter
Rise Time
185ns
Turn On Delay Time
18 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
30 ns
Dual Supply Voltage
-60V
Rise Time
185ns
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Published
1999
Factory Lead Time
6 Weeks
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Drain to Source Breakdown Voltage
-60V
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Nominal Vgs
-4 V
Threshold Voltage
-4V
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Weight
1.8g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
27A Tc
Series
QFET®
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Number of Terminations
3
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Height
6.35mm
Width
9.9mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Vgs (Max)
±25V
Length
6.35mm
Power Dissipation-Max
120W Tc
Power Dissipation
120W
Resistance
70mOhm
Voltage - Rated DC
-60V
Avalanche Energy Rating (Eas)
560 mJ
Fall Time (Typ)
90 ns
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Current Rating
-27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70m Ω @ 13.5A, 10V
Continuous Drain Current (ID)
-27A
Manufacturer's Part No.
FQP27P06
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FQP27P06, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FQP27P06?
Для FQP27P06 указан корпус TO-220. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 60V 27A TO-220. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FQP27P06 в наличии?
Сейчас на странице указано 48456 шт. на складе и 48456 шт. доступно для FQP27P06. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FQP27P06?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FQP27P06 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FQP27P06?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FQP27P06 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FQP27P06?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FQP27P06.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRFR120ZTRPBF
152 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Ориентировочная цена
$0.30Добавить в список RFQ
FDS6690A
181 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.28Добавить в список RFQ
FDD3706
150 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK
Ориентировочная цена
$0.77Добавить в список RFQ
IRF4905LPBF
139 покупали
TO-262
RoHS
MOSFET P-CH 55V 42A TO-262
Ориентировочная цена
$1.25Добавить в список RFQ
STB80NF55-06T4
166 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Ориентировочная цена
$9.42Добавить в список RFQ
FDN304PZ
142 покупали
SSOT-3
RoHS
MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3
Ориентировочная цена
$0.47Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.