Что такое FQP8N60C?
FQP8N60C — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FQP8N60C, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
QFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FQP8N60C от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Tin (Sn)
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Dual Supply Voltage
600V
Product Parameter
Turn On Delay Time
16.5 ns
Product Parameter
Rise Time
60.5ns
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
81 ns
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
600V
Turn On Delay Time
16.5 ns
Rise Time
60.5ns
Turn-Off Delay Time
81 ns
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Published
2004
Qualification Status
Not Qualified
Height
9.4mm
Element Configuration
Single
Part Status
Not For New Designs
Manufacturer
ON Semiconductor
Resistance
1.2Ohm
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Weight
1.8g
Series
QFET®
Vgs (Max)
±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Number of Terminations
3
Length
10.1mm
Width
4.7mm
Termination
Through Hole
Current Rating
7.5A
Voltage - Rated DC
600V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Lifecycle Status
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
Additional Feature
FAST SWITCHING
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Threshold Voltage
4V
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.5A Tc
Power Dissipation-Max
147W Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1255pF @ 25V
Power Dissipation
147W
Continuous Drain Current (ID)
7.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ω @ 3.75A, 10V
Fall Time (Typ)
64.5 ns
Manufacturer's Part No.
FQP8N60C
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FQP8N60C, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FQP8N60C?
Для FQP8N60C указан корпус TO-220. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FQP8N60C в наличии?
Сейчас на странице указано 43097 шт. на складе и 43097 шт. доступно для FQP8N60C. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FQP8N60C?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FQP8N60C от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FQP8N60C?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FQP8N60C от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FQP8N60C?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FQP8N60C.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDD6670A
145 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 30V 15A DPAK
Ориентировочная цена
$0.75Добавить в список RFQ
FCD9N60NTM
136 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Ориентировочная цена
$1.87Добавить в список RFQ
IRLR2703TRPBF
179 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Ориентировочная цена
$0.38Добавить в список RFQ
IRF9Z34NSTRLPBF
135 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.37Добавить в список RFQ
IRF2804STRL7PP
205 покупали
TO-263-7
RoHS
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
Ориентировочная цена
$25.00Добавить в список RFQ
IRFR1010ZPBF
214 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Ориентировочная цена
$0.72Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.