Что такое FQP3N80C?
FQP3N80C — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FQP3N80C, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
QFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FQP3N80C от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Mounting Type
Through Hole
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Current Rating
3A
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Current Rating
3A
Packaging
Tube
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Published
2003
Factory Lead Time
6 Weeks
Height
9.4mm
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Weight
1.8g
Series
QFET®
Vgs (Max)
±30V
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Number of Terminations
3
Length
10.1mm
Width
4.7mm
Termination
Through Hole
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Continuous Drain Current (ID)
3A
Drain Current-Max (Abs) (ID)
3A
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250μA
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A Tc
Nominal Vgs
5 V
Threshold Voltage
5V
Voltage - Rated DC
800V
Drain to Source Breakdown Voltage
800V
Power Dissipation-Max
107W Tc
Fall Time (Typ)
32 ns
Manufacturer's Part No.
FQP3N80C
Power Dissipation
107W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.5nC @ 10V
Resistance
4.8Ohm
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
705pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8 Ω @ 1.5A, 10V
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
15 ns
Dual Supply Voltage
800V
Turn-Off Delay Time
22.5 ns
Rise Time
43.5ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FQP3N80C, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FQP3N80C?
Для FQP3N80C указан корпус TO-220. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 800V 3A TO-220. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FQP3N80C в наличии?
Сейчас на странице указано 80415 шт. на складе и 10075 шт. доступно для FQP3N80C. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FQP3N80C?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FQP3N80C от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FQP3N80C?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FQP3N80C от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FQP3N80C?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FQP3N80C.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDMC4435BZ
175 покупали
RoHS
MOSFET P-CH 30V 8.5A POWER33
Ориентировочная цена
$3.00Добавить в список RFQ
FDB070AN06A0
204 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
Ориентировочная цена
$14.84Добавить в список RFQ
NTD3055-094T4G
154 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Ориентировочная цена
$0.67Добавить в список RFQ
IRFS3207TRLPBF
224 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.18Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.