Что такое HGT1S10N120BNS?
HGT1S10N120BNS — это компонент категории Транзисторы IGBT одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных HGT1S10N120BNS, Транзисторы IGBT одиночные, от ON Semiconductor
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы IGBT одиночныеОписание
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для HGT1S10N120BNS от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Mounting Type
Surface Mount
Mount
Surface Mount, Through Hole
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Current Rating
35A
Length
10.67mm
Element Configuration
Single
Part Status
Not For New Designs
Manufacturer
ON Semiconductor
Factory Lead Time
44 Weeks
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight
1.31247g
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Height
4.83mm
Width
9.65mm
Current
35A
Case Connection
COLLECTOR
Transistor Application
MOTOR CONTROL
Sub-Categories
Transistors - IGBTs - Single
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Voltage - Rated DC
1.2kV
HTS Code
8541.29.00.95
Base Part Number
HGT1S10N120
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Td (on/off) @ 25°C
23ns/165ns
Continuous Collector Current
55A
Collector Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Additional Feature
LOW CONDUCTION LOSS
Switching Energy
320μJ (on), 800μJ (off)
Power Dissipation
298W
Turn Off Time-Nom (toff)
330 ns
Test Condition
960V, 10A, 10 Ω, 15V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7V
Max Collector Current
35A
Turn On Time
32 ns
Gate Charge
100nC
Lifecycle Status
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
Voltage
1.2kV
Manufacturer's Part No.
HGT1S10N120BNS
Max Power Dissipation
312W
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Input Type
Standard
IGBT Type
NPT
Current - Collector Pulsed (Icm)
80A
Max Breakdown Voltage
1.2kV
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют HGT1S10N120BNS, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для HGT1S10N120BNS?
Для HGT1S10N120BNS указан корпус TO-263-3. Текущее описание товара: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли HGT1S10N120BNS в наличии?
Сейчас на странице указано 28534 шт. на складе и 28534 шт. доступно для HGT1S10N120BNS. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для HGT1S10N120BNS?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для HGT1S10N120BNS от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для HGT1S10N120BNS?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для HGT1S10N120BNS от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом HGT1S10N120BNS?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для HGT1S10N120BNS.
Транзисторы IGBT одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRG4BC30KD-SPBF
184 покупали
TO-263-3
RoHS
IGBT 600V 28A 100W D2PAK
Ориентировочная цена
$2.03Добавить в список RFQ
IRG4BC20KD-SPBF
183 покупали
TO-263-3
RoHS
IGBT 600V 16A 60W D2PAK
Ориентировочная цена
$1.37Добавить в список RFQ
HGTG30N60A4
200 покупали
TO247
RoHS
IGBT 600V 75A 463W TO247
Ориентировочная цена
$3.00Добавить в список RFQ
FGH60N60SMD
151 покупали
TO247
RoHS
IGBT 600V 120A 600W TO247
Ориентировочная цена
$1.46Добавить в список RFQ
HGT1S10N120BNST
134 покупали
TO-263-3
RoHS
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Ориентировочная цена
$2.32Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.