Поставка оригинальных IMD10AT108, Транзисторы биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные, от Rohm Semiconductor

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

Поставка оригинальных IMD10AT108, Транзисторы биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные, от Rohm Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

IMD10AT108

Внутренний код

TCE000045541

Упаковка

SOT-457

Производитель

Rohm Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Описание

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IMD10AT108 от Rohm Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Terminal Finish

TIN SILVER COPPER

Product Parameter

Number of Elements

2

Product Parameter

Max Breakdown Voltage

50V

Product Parameter

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Terminal Finish
TIN SILVER COPPER
Number of Elements
2
Max Breakdown Voltage
50V
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Min Operating Temperature
-55°C
Factory Lead Time
13 Weeks
Published
2005
Packaging
Tape & Reel (TR)
Operating Supply Voltage
50V
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Height
1.1mm
Contact Plating
Copper, Silver, Tin
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Width
1.6mm
Length
2.9mm
Number of Terminations
6
Pin Count
6
Element Configuration
Dual
Max Power Dissipation
300mW
Power Dissipation
300mW
Max Operating Temperature
150°C
Package / Case
SC-74, SOT-457
Reflow Temperature-Max (s)
10
Current Rating
100mA
Max Output Current
500mA
Max Collector Current
500mA
Manufacturer
Rohm Semiconductor
Emitter Base Voltage (VEBO)
5V
Collector Emitter Breakdown Voltage
50V
hFE Min
100
Number of Pins
74
Collector Emitter Voltage (VCEO)
300mV
Transition Frequency
250MHz
HTS Code
8541.21.00.75
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Polarity
NPN, PNP
Resistor - Base (R1)
10k Ω, 100 Ω
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA 500mA
Sub-Categories
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Manufacturer's Part No.
IMD10AT108
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA 5V / 68 @ 100mA 5V
Continuous Collector Current
-500mA
Resistor - Emitter Base (R2)
10k Ω
Frequency - Transition
250MHz 200MHz
Subcategory
BIP General Purpose Small Signals
Collector Emitter Saturation Voltage
300mV
Additional Feature
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Base Part Number
MD10A
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
JESD-609 Code
e1
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
R-PDSO-G6

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IMD10AT108, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IMD10AT108?

IMD10AT108 — это компонент категории Транзисторы биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные от Rohm Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IMD10AT108?

Для IMD10AT108 указан корпус SOT-457. Текущее описание товара: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IMD10AT108 в наличии?

Сейчас на странице указано 54607 шт. на складе и 43313 шт. доступно для IMD10AT108. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IMD10AT108?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IMD10AT108 от Rohm Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IMD10AT108?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IMD10AT108 от Rohm Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IMD10AT108?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IMD10AT108.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.