Логотип сайта TrustCompo | TrustCompo
Infineon TechnologiesДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные

Поставка оригинальных IRFR9N20DTRPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

RoHS
Поставка оригинальных IRFR9N20DTRPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

IRFR9N20DTRPBF

Внутренний код

TCE000045558

Упаковка

TO-252-3

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

HEXFET®

Минимальное количество

1

Категория

Дискретные полупроводниковые изделия

Подкатегория

Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные

Описание

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRFR9N20DTRPBF от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

REACH SVHC

No SVHC

Export Classifications & Environmental

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.29.0095

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Number of Elements
1
Rise Time
16ns
Turn On Delay Time
7.5 ns
Dual Supply Voltage
200V
Turn-Off Delay Time
13 ns
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2004
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Part Status
Not For New Designs
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
JEDEC-95 Code
TO-252AA
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Nominal Vgs
5.5 V
Vgs (Max)
±30V
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Voltage - Rated DC
200V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Length
6.7056mm
Height
2.3876mm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Threshold Voltage
5.5V
Drain to Source Breakdown Voltage
200V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250μA
Resistance
380MOhm
Continuous Drain Current (ID)
9.4A
Current Rating
9.4A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.4A Tc
Power Dissipation
86W
Power Dissipation-Max
86W Tc
Fall Time (Typ)
9.3 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380m Ω @ 5.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
560pF @ 25V
Manufacturer's Part No.
IRFR9N20DTRPBF

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRFR9N20DTRPBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRFR9N20DTRPBF?

IRFR9N20DTRPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRFR9N20DTRPBF?

Для IRFR9N20DTRPBF указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRFR9N20DTRPBF в наличии?

Сейчас на странице указано 44163 шт. на складе и 33400 шт. доступно для IRFR9N20DTRPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRFR9N20DTRPBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRFR9N20DTRPBF от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRFR9N20DTRPBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRFR9N20DTRPBF от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRFR9N20DTRPBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRFR9N20DTRPBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

Читать

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

Читать

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.

Читать