Что такое IRFU420PBF?
IRFU420PBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных IRFU420PBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для IRFU420PBF от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Mounting Type
Through Hole
Product Attribute
Published
2008
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Packaging
Tube
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Published
2008
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Factory Lead Time
12 Weeks
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Element Configuration
Single
Current Rating
2.4A
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Length
6.73mm
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Pin Count
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Fall Time (Typ)
16 ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Voltage - Rated DC
500V
Power Dissipation
42W
Resistance
3Ohm
Threshold Voltage
4V
Lead Length
9.65mm
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Avalanche Energy Rating (Eas)
400 mJ
Height
6.22mm
Drain to Source Breakdown Voltage
500V
Width
2.39mm
Weight
329.988449mg
Power Dissipation-Max
2.5W Ta 42W Tc
Continuous Drain Current (ID)
2.4A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
8A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.4A Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ω @ 1.4A, 10V
Manufacturer's Part No.
IRFU420PBF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
8 ns
Turn-Off Delay Time
33 ns
Rise Time
8.6ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRFU420PBF, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для IRFU420PBF?
Для IRFU420PBF указан корпус TO-251-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли IRFU420PBF в наличии?
Сейчас на странице указано 76032 шт. на складе и 76032 шт. доступно для IRFU420PBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для IRFU420PBF?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRFU420PBF от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для IRFU420PBF?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRFU420PBF от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом IRFU420PBF?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRFU420PBF.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRLR3410TRPBF
134 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Ориентировочная цена
$0.23Добавить в список RFQ
BSP89H6327XTSA1
187 покупали
TO-261-4
RoHS
MOSFET N-CH 4SOT223
Ориентировочная цена
$0.41Добавить в список RFQ
IRFB4610PBF
146 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB
Ориентировочная цена
$1.07Добавить в список RFQ
IRF3703PBF
153 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB
Ориентировочная цена
$1.59Добавить в список RFQ
IRFS4310TRLPBF
196 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.35Добавить в список RFQ
IRLL024NTRPBF
169 покупали
SOT223
RoHS
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Ориентировочная цена
$0.13Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.