Что такое SCT1200W7K0C3?
SCT1200W7K0C3 — это компонент категории SiC МОП-транзисторы от STMicroelectronics. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SCT1200W7K0C3, SiC МОП-транзисторы, от STMicroelectronics
1200V Gen 3 STPOWER SiC device for high-current power stages
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Номер детали
SCT1200W7K0C3
Внутренний код
TCE000045775
Упаковка
High-power module package
Производитель
STMicroelectronicsКлючевые характеристики
Серия
STPOWER Gen 3 SiC
Минимальное количество
1
Категория
МОП-транзисторыПодкатегория
SiC МОП-транзисторыОписание
1200V Gen 3 STPOWER SiC device for high-current power stages
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SCT1200W7K0C3 от STMicroelectronics в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
SCT1200W7K0C3 is used in this article as an STMicroelectronics Gen 3 STPOWER SiC anchor for 1200V sourcing comparisons. Treat it as a high-current SiC alternative only after confirming the exact package, current class, and switching profile against the target Wolfspeed design position.
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Voltage Rating
1200V
Product Parameter
Qualification Note
Confirm exact package and current class before release
Product Parameter
Device Type
SiC Power Device
Electrical and Mechanical
Target Application
High-current industrial conversion
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Package / Case
High-power module package
Voltage Rating
1200V
Qualification Note
Confirm exact package and current class before release
Device Type
SiC Power Device
Target Application
High-current industrial conversion
ECCN
EAR99
Package / Case
High-power module package
Mounting Type
Confirm exact package from product page
Series
STPOWER Gen 3 SiC
RoHS Status
RoHS
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SCT1200W7K0C3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SCT1200W7K0C3?
Для SCT1200W7K0C3 указан корпус High-power module package. Текущее описание товара: 1200V Gen 3 STPOWER SiC device for high-current power stages. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SCT1200W7K0C3 в наличии?
Сейчас на странице указано 14500 шт. на складе и 10900 шт. доступно для SCT1200W7K0C3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SCT1200W7K0C3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SCT1200W7K0C3 от STMicroelectronics. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SCT1200W7K0C3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SCT1200W7K0C3 от STMicroelectronics, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SCT1200W7K0C3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SCT1200W7K0C3.
SiC МОП-транзисторы
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
C3M0045065K
128 покупали
TO-247-4
RoHS
650V 45 mOhm SiC MOSFET in TO-247-4 package
Ориентировочная цена
$8.90Добавить в список RFQ
C2M0025120D
128 покупали
TO-247-4
RoHS
1200V 25 mOhm SiC MOSFET in TO-247-4 package
Ориентировочная цена
$14.80Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.