Поставка оригинальных IRFH5020TRPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных IRFH5020TRPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

IRFH5020TRPBF

Внутренний код

TCE000049533

Упаковка

-

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

HEXFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRFH5020TRPBF от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Terminal Finish

Matte Tin (Sn)

Product Parameter

Number of Channels

1

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

21 ns

Product Parameter

Turn On Delay Time

9.3 ns

Product Parameter

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
21 ns
Turn On Delay Time
9.3 ns
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Rise Time
7.7ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
12 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2012
Terminal Position
DUAL
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Height
1.05mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
HIGH RELIABILITY
Avalanche Energy Rating (Eas)
320 mJ
Package / Case
8-PowerTDFN
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Width
5mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Length
6mm
Drain to Source Breakdown Voltage
200V
Threshold Voltage
5V
Fall Time (Typ)
6 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Resistance
55MOhm
Power Dissipation
3.6W
Continuous Drain Current (ID)
5.1A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.1A Ta
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
63A
Manufacturer's Part No.
IRFH5020TRPBF
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150μA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55m Ω @ 7.5A, 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID)
43A
Power Dissipation-Max
3.6W Ta 8.3W Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 100V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
R-PDSO-N5

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRFH5020TRPBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRFH5020TRPBF?

IRFH5020TRPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRFH5020TRPBF?

Для IRFH5020TRPBF указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRFH5020TRPBF в наличии?

Сейчас на странице указано 87926 шт. на складе и 87926 шт. доступно для IRFH5020TRPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRFH5020TRPBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRFH5020TRPBF от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRFH5020TRPBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRFH5020TRPBF от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRFH5020TRPBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRFH5020TRPBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.