Логотип сайта TrustCompo | TrustCompo

IRLL2703TRPBF Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies

IRLL2703TRPBF — это модель из категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные. Известный корпус сейчас указан как SOT223 в карточке бренда Infineon Technologies. MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для IRLL2703TRPBF, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.

RoHS
Datasheet
IRLL2703TRPBF Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies | TrustCompo
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Проверка подлинности и прослеживаемости

Быстрый ответ по RFQ

Поддержка по документации

Проверка перед отгрузкой

Номер детали

IRLL2703TRPBF

Внутренний код

TCE000049556

Упаковка

SOT223

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

HEXFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223

Основные характеристики

-

Техническое описание

Открыть datasheet IRLL2703TRPBF

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRLL2703TRPBF от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet IRLL2703TRPBF

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

RoHS, REACH и lead-free документацию можно подтвердить на этапе RFQ
Traceability и Certificate of Conformance доступны по запросу
Поддержка pre-shipment inspection report для quality review

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Процесс заказа

Поймите, как оформить заказ и какие политики поддерживают закупку

Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.

Как заказать этот товар

Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.

1

Проверьте позицию и количество

Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.

2

Отправьте RFQ или запрос на образец

Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.

3

Согласуйте доставку, оплату и документы

До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.

Какие policy обычно проверяют покупатели

Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.

Получить образец

Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.

Запросить образцы

Доставка и отгрузка

Ознакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.

Посмотреть условия доставки

Условия оплаты

Узнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.

Посмотреть условия оплаты

Центр качества и прослеживаемости

Посмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.

Посмотреть quality workflow

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.

Обзор продукта

Обзор

The IRLL2703TRPBF is a N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Infineon Technologies. This component is designed for high-efficiency power management applications, making it suitable for a variety of uses in both consumer and industrial electronics.

Key Features:

  1. N-Channel Configuration: The IRLL2703TRPBF is an N-channel MOSFET, which means it uses electrons as the charge carriers. This configuration typically offers lower on-resistance and higher efficiency compared to P-channel MOSFETs.

  2. Low On-Resistance (RDS(on)): One of the standout features of this MOSFET is its low on-resistance, which minimizes power loss during operation. This characteristic is crucial for applications where efficiency is paramount, such as in power supplies and motor drivers.

  3. Voltage Rating: The IRLL2703TRPBF has a maximum drain-source voltage (VDS) rating of 30V, making it suitable for low-voltage applications. This allows it to handle a variety of power levels while maintaining reliability.

  4. Current Rating: The device can handle continuous drain currents up to 60A, depending on the thermal conditions and the specific application. This high current capability makes it ideal for applications requiring significant power handling.

  5. Fast Switching Speed: The MOSFET is designed for fast switching, which is beneficial in applications such as DC-DC converters and switching power supplies. Fast switching reduces the time the device spends in transition states, thereby improving overall efficiency.

  6. Thermal Performance: The IRLL2703TRPBF features a robust thermal performance, with a low thermal resistance, allowing it to dissipate heat effectively. This is critical for maintaining performance and reliability in high-power applications.

  7. Package Type: The device is typically available in a TO-220 package, which provides good thermal management and is easy to handle in PCB designs. The package design also allows for efficient heat sinking.

  8. Gate Threshold Voltage (VGS(th)): The gate threshold voltage is relatively low, which means it can be driven by lower voltage levels, making it compatible with various control circuits.

Applications:

The IRLL2703TRPBF is widely used in applications such as:

  • Power Supplies: Ideal for use in switch-mode power supplies (SMPS) where efficiency is critical.
  • Motor Control: Suitable for driving motors in various applications, including robotics and industrial automation.
  • LED Drivers: Can be used in LED lighting applications for efficient power management.
  • Battery Management Systems: Useful in applications requiring efficient switching for battery charging and discharging.

Conclusion:

Overall, the IRLL2703TRPBF from Infineon Technologies is a versatile and efficient N-channel MOSFET that excels in power management applications. Its combination of low on-resistance, high current handling, and fast switching capabilities makes it a preferred choice for engineers looking to optimize performance in their electronic designs.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.29.0095

Export Classifications & Environmental

JESD-30 Code

R-PDSO-G4

Export Classifications & Environmental

ECCN Code

EAR99

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
JESD-30 Code
R-PDSO-G4
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Rise Time
24ns
Number of Elements
1
Forward Voltage
1V
Turn On Delay Time
7.4 ns
Turn-Off Delay Time
6.9 ns
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Contains Lead
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Published
1999
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Vgs (Max)
±16V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4V 10V
Additional Feature
HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED
Length
6.6802mm
Power Dissipation-Max
1W Ta
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminations
4
Voltage - Rated DC
30V
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Power Dissipation
2.1W
Width
3.7mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
16V
Current Rating
3.9A
Continuous Drain Current (ID)
3.9A
Resistance
60MOhm
Fall Time (Typ)
14 ns
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250μA
Height
1.4478mm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45m Ω @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.9A Ta
Avalanche Energy Rating (Eas)
180 mJ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
16A
Manufacturer's Part No.
IRLL2703TRPBF

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRLL2703TRPBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRLL2703TRPBF?

IRLL2703TRPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRLL2703TRPBF?

Для IRLL2703TRPBF указан корпус SOT223. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRLL2703TRPBF в наличии?

Сейчас на странице указано 103111 шт. на складе и 82006 шт. доступно для IRLL2703TRPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRLL2703TRPBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRLL2703TRPBF от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRLL2703TRPBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRLL2703TRPBF от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRLL2703TRPBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRLL2703TRPBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

Изучите материалы о IRLL2703TRPBF, категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.

11 июл. 2026 г.

Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важен

Срез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.

широкозонные полупроводникиSiCGaN

8 июл. 2026 г.

Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИС

Ориентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.

Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИС