Поставка оригинальных CSD16323Q3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments

MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON

RoHS
Поставка оригинальных CSD16323Q3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

CSD16323Q3

Внутренний код

TCE000050048

Упаковка

-

Производитель

Texas Instruments

Ключевые характеристики

Серия

NexFET™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON

Основные характеристики

-

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

CSD16323Q3 is a specific model of a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Texas Instruments. This component is designed for high-efficiency switching applications, making it suitable for various electronic devices and power management systems.

Key Features:

  1. Type: N-channel MOSFET
  2. Voltage Rating: Typically, this model can handle high voltages, often in the range of 30V to 60V, making it suitable for applications that require robust performance under high voltage conditions.
  3. Current Rating: The device can support significant continuous drain current, often around 20A or more, depending on the specific application and thermal management.
  4. RDS(on): The on-resistance (RDS(on)) is low, which minimizes power loss during operation and enhances efficiency. This is a critical parameter for applications where heat dissipation is a concern.
  5. Package Type: The CSD16323Q3 is typically housed in a compact surface-mount package, such as a SOIC or DPAK, which facilitates easy integration into circuit boards and helps save space in electronic designs.
  6. Thermal Performance: The device is designed to operate efficiently at elevated temperatures, with thermal resistance specifications that allow for effective heat dissipation.

Applications:

  • Power Management: Ideal for DC-DC converters, power supplies, and battery management systems.
  • Motor Control: Used in applications requiring efficient control of motors, such as in robotics and automotive systems.
  • Consumer Electronics: Commonly found in devices like laptops, smartphones, and other portable electronics where power efficiency is crucial.

Electrical Characteristics:

  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): The voltage at which the MOSFET begins to conduct, typically in the range of 1V to 3V.
  • Input Capacitance (Ciss): A measure of the gate capacitance, which affects the switching speed and efficiency of the device.
  • Switching Speed: Fast switching capabilities, making it suitable for high-frequency applications.

Conclusion:

The CSD16323Q3 from Texas Instruments is a versatile and efficient power MOSFET that plays a critical role in modern electronic designs. Its combination of high voltage and current ratings, low on-resistance, and compact packaging makes it an excellent choice for engineers looking to optimize power management and enhance the performance of their electronic systems.

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Dual Supply Voltage

25V

Product Parameter

Rise Time

15ns

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

13 ns

Product Parameter

Turn On Delay Time

5.3 ns

Product Attribute

Part Status

Active

Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
25V
Rise Time
15ns
Turn-Off Delay Time
13 ns
Turn On Delay Time
5.3 ns
Part Status
Active
Lead Free
Contains Lead
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
6 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Manufacturer
Texas
Element Configuration
Single
Height
1.1mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Series
NexFET™
Package / Case
8-PowerTDFN
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Pin Count
8
Thickness
1mm
Power Dissipation
3W
Length
3.3mm
Width
3.3mm
Drain to Source Breakdown Voltage
25V
Power Dissipation-Max
3W Ta
Gate to Source Voltage (Vgs)
10V
Vgs (Max)
+10V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
3V 8V
Nominal Vgs
1.1 V
Fall Time (Typ)
6.3 ns
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250μA
Feedback Cap-Max (Crss)
65 pF
Drain-source On Resistance-Max
0.0065Ohm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 12.5V
Continuous Drain Current (ID)
60A
Threshold Voltage
1.1V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A Ta 60A Tc
Manufacturer's Part No.
CSD16323Q3
Base Part Number
CSD16323
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5m Ω @ 24A, 8V
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD16323Q3, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое CSD16323Q3?

CSD16323Q3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для CSD16323Q3?

Для CSD16323Q3 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли CSD16323Q3 в наличии?

Сейчас на странице указано 75760 шт. на складе и 50576 шт. доступно для CSD16323Q3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для CSD16323Q3?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD16323Q3 от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для CSD16323Q3?

Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для CSD16323Q3 от Texas Instruments. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.

Что нужно проверить перед заказом CSD16323Q3?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD16323Q3.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.