Что такое CSD16415Q5?
CSD16415Q5 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Texas InstrumentsДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных CSD16415Q5, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 8SON
RoHS
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
NexFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 25V 8SON
Основные характеристики
-
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 25V 8SON
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Factory Lead Time
6 Weeks
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
6 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Manufacturer
Texas
Element Configuration
Single
Height
1.05mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Series
NexFET™
Package / Case
8-PowerTDFN
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Length
5mm
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Width
6mm
Thickness
1mm
Threshold Voltage
1.5V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
200A
Gate to Source Voltage (Vgs)
16V
Nominal Vgs
1.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4100pF @ 12.5V
Fall Time (Typ)
12.7 ns
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250μA
Drain to Source Breakdown Voltage
25V
Avalanche Energy Rating (Eas)
500 mJ
Feedback Cap-Max (Crss)
230 pF
Vgs (Max)
+16V, -12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 4.5V
Continuous Drain Current (ID)
100A
Power Dissipation
3.2W
Power Dissipation-Max
3.2W Ta
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A Tc
Base Part Number
CSD16415
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.15m Ω @ 40A, 10V
Manufacturer's Part No.
CSD16415Q5
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Turn-Off Delay Time
20 ns
Number of Elements
1
Rise Time
30ns
Turn On Delay Time
16.6 ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD16415Q5, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для CSD16415Q5?
Для CSD16415Q5 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 25V 8SON. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли CSD16415Q5 в наличии?
Сейчас на странице указано 19813 шт. на складе и 19325 шт. доступно для CSD16415Q5. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для CSD16415Q5?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD16415Q5 от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для CSD16415Q5?
Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для CSD16415Q5 от Texas Instruments. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.
Что нужно проверить перед заказом CSD16415Q5?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD16415Q5.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FQP85N06
193 покупали
TO-220
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 85A TO-220
Ориентировочная цена
$1.80Добавить в список RFQ
FDB8896
176 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
Ориентировочная цена
$0.32Добавить в список RFQ
AUIRFR5305
144 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Ориентировочная цена
$0.89Добавить в список RFQ
IRF2807STRLPBF
198 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.70Добавить в список RFQ
FDD8878
149 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
Ориентировочная цена
$1.00Добавить в список RFQ
FDMC8327L
225 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 40V 12A 8MLP
Ориентировочная цена
$0.37Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.