Поставка оригинальных CSD18537NQ5AT, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments

MOSFET N-CH 60V 50A 8SON

RoHS
Поставка оригинальных CSD18537NQ5AT, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

CSD18537NQ5AT

Внутренний код

TCE000050066

Упаковка

-

Производитель

Texas Instruments

Ключевые характеристики

Серия

NexFET™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 60V 50A 8SON

Основные характеристики

-

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 60V 50A 8SON

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Number of Channels

1

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Turn On Delay Time

5.8 ns

Product Parameter

Rise Time

4ns

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

14.4 ns

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
5.8 ns
Rise Time
4ns
Turn-Off Delay Time
14.4 ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Contains Lead
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
6 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Reach Compliance Code
not_compliant
Manufacturer
Texas
Element Configuration
Single
Terminal Form
NO LEAD
Height
1.1mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Series
NexFET™
Package / Case
8-PowerTDFN
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Length
4.9mm
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Width
6mm
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Thickness
1mm
Threshold Voltage
3V
Continuous Drain Current (ID)
50A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Avalanche Energy Rating (Eas)
55 mJ
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250μA
Base Part Number
CSD18537
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1480pF @ 30V
Fall Time (Typ)
3.2 ns
Feedback Cap-Max (Crss)
5.2 pF
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13m Ω @ 12A, 10V
Power Dissipation-Max
3.2W Ta 75W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A Ta
Manufacturer's Part No.
CSD18537NQ5AT

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD18537NQ5AT, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое CSD18537NQ5AT?

CSD18537NQ5AT — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для CSD18537NQ5AT?

Для CSD18537NQ5AT указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 60V 50A 8SON. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли CSD18537NQ5AT в наличии?

Сейчас на странице указано 72408 шт. на складе и 67176 шт. доступно для CSD18537NQ5AT. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для CSD18537NQ5AT?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD18537NQ5AT от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для CSD18537NQ5AT?

Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для CSD18537NQ5AT от Texas Instruments. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.

Что нужно проверить перед заказом CSD18537NQ5AT?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD18537NQ5AT.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.