Поставка оригинальных CSD19537Q3T, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments

MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON

RoHS
Поставка оригинальных CSD19537Q3T, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

CSD19537Q3T

Внутренний код

TCE000050072

Упаковка

-

Производитель

Texas Instruments

Ключевые характеристики

Серия

NexFET™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON

Основные характеристики

-

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Contains Lead

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Contains Lead
Mounting Type
Surface Mount
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Factory Lead Time
6 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Reach Compliance Code
not_compliant
Manufacturer
Texas
Terminal Form
NO LEAD
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Series
NexFET™
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Thickness
1mm
Contact Plating
Copper, Tin
Threshold Voltage
3V
Length
3.3mm
Width
3.3mm
Continuous Drain Current (ID)
50A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Avalanche Energy Rating (Eas)
55 mJ
Fall Time (Typ)
3 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A Ta
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1680pF @ 50V
Package / Case
8-PowerVDFN
Resistance
12.1mOhm
Feedback Cap-Max (Crss)
17.3 pF
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5m Ω @ 10A, 10V
DS Breakdown Voltage-Min
100V
Base Part Number
CSD19537
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250μA
Drain Current-Max (Abs) (ID)
9.7A
Power Dissipation-Max
2.8W Ta 83W Tc
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
219A
Manufacturer's Part No.
CSD19537Q3T
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Turn-Off Delay Time
10 ns
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
5 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Rise Time
3ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD19537Q3T, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое CSD19537Q3T?

CSD19537Q3T — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для CSD19537Q3T?

Для CSD19537Q3T указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли CSD19537Q3T в наличии?

Сейчас на странице указано 25514 шт. на складе и 14602 шт. доступно для CSD19537Q3T. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для CSD19537Q3T?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD19537Q3T от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для CSD19537Q3T?

Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для CSD19537Q3T от Texas Instruments. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.

Что нужно проверить перед заказом CSD19537Q3T?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD19537Q3T.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.