Поставка оригинальных NTR1P02LT1G, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных NTR1P02LT1G, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

NTR1P02LT1G

Внутренний код

TCE000050357

Упаковка

SOT-23

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для NTR1P02LT1G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Product Parameter

Turn On Delay Time

7 ns

Product Parameter

Rise Time

15ns

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

18 ns

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Turn On Delay Time
7 ns
Rise Time
15ns
Turn-Off Delay Time
18 ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Published
2004
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Cut Tape (CT)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Height
940μm
Surface Mount
YES
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Pin Count
3
Length
2.9mm
Voltage - Rated DC
-20V
Drain to Source Breakdown Voltage
-20V
Number of Terminations
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
Width
1.3mm
Power Dissipation
400mW
Threshold Voltage
-1V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
2.5V 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Fall Time (Typ)
15 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.3A Ta
Current Rating
-1.3A
Resistance
220mOhm
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250μA
Continuous Drain Current (ID)
1.3A
Power Dissipation-Max
400mW Ta
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 5V
Manufacturer's Part No.
NTR1P02LT1G
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220m Ω @ 750mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 4V

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NTR1P02LT1G, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое NTR1P02LT1G?

NTR1P02LT1G — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для NTR1P02LT1G?

Для NTR1P02LT1G указан корпус SOT-23. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли NTR1P02LT1G в наличии?

Сейчас на странице указано 83232 шт. на складе и 82177 шт. доступно для NTR1P02LT1G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для NTR1P02LT1G?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NTR1P02LT1G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для NTR1P02LT1G?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для NTR1P02LT1G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом NTR1P02LT1G?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NTR1P02LT1G.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.