Что такое STD9NM60N?
STD9NM60N — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от STMicroelectronics. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
STMicroelectronicsДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных STD9NM60N, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
MDmesh™ II
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для STD9NM60N от STMicroelectronics в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Factory Lead Time
16 Weeks
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
16 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Manufacturer
STMicroelectronics
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Terminal Position
SINGLE
Number of Terminations
2
Pin Count
3
Height
2.4mm
Width
6.2mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Threshold Voltage
3V
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Vgs (Max)
±25V
Length
6.6mm
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Power Dissipation-Max
70W Tc
Power Dissipation
70W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.5A Tc
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
26A
Continuous Drain Current (ID)
6.5A
Drain Current-Max (Abs) (ID)
9A
Operating Temperature
150°C TJ
Series
MDmesh™ II
Base Part Number
STD9N
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
452pF @ 50V
Manufacturer's Part No.
STD9NM60N
Fall Time (Typ)
26.7 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
745m Ω @ 3.25A, 10V
Resistance
745mOhm
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - annealed
Number of Elements
1
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Rise Time
23ns
Turn On Delay Time
28 ns
Turn-Off Delay Time
52.5 ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют STD9NM60N, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для STD9NM60N?
Для STD9NM60N указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли STD9NM60N в наличии?
Сейчас на странице указано 95419 шт. на складе и 95419 шт. доступно для STD9NM60N. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для STD9NM60N?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для STD9NM60N от STMicroelectronics. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для STD9NM60N?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для STD9NM60N от STMicroelectronics, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом STD9NM60N?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для STD9NM60N.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IXFK30N100Q2
195 покупали
TO-264
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
Ориентировочная цена
$31.73Добавить в список RFQ
STB8N65M5
215 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.00Добавить в список RFQ
IRL3803STRLPBF
129 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.92Добавить в список RFQ
IXFH20N60
205 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Ориентировочная цена
$100.00Добавить в список RFQ
FDMC7680
153 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 8-MLP
Ориентировочная цена
$0.71Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.