Поставка оригинальных IRF5801TRPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных IRF5801TRPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

IRF5801TRPBF

Внутренний код

TCE000050816

Упаковка

TSOP

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

HEXFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRF5801TRPBF от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Contains Lead

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Factory Lead Time

12 Weeks

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Contains Lead
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
12 Weeks
Published
2002
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Width
1.7mm
Current Rating
600mA
Resistance
2.2Ohm
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Nominal Vgs
5.5 V
Vgs (Max)
±30V
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Voltage - Rated DC
200V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Power Dissipation
2W
Threshold Voltage
5.5V
Drain to Source Breakdown Voltage
200V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250μA
Height
990.6μm
Fall Time (Typ)
19 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
600mA Ta
Length
2.9972mm
Continuous Drain Current (ID)
600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
88pF @ 25V
Power Dissipation-Max
2W Ta
Avalanche Energy Rating (Eas)
9.9 mJ
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
4.8A
Manufacturer's Part No.
IRF5801TRPBF
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2 Ω @ 360mA, 10V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Number of Elements
1
Rise Time
8ns
Turn On Delay Time
6.5 ns
Dual Supply Voltage
200V
Turn-Off Delay Time
8.8 ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRF5801TRPBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRF5801TRPBF?

IRF5801TRPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRF5801TRPBF?

Для IRF5801TRPBF указан корпус TSOP. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRF5801TRPBF в наличии?

Сейчас на странице указано 96344 шт. на складе и 85022 шт. доступно для IRF5801TRPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRF5801TRPBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRF5801TRPBF от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRF5801TRPBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRF5801TRPBF от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRF5801TRPBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRF5801TRPBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.