Что такое SIB408DK-T1-GE3?
SIB408DK-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SIB408DK-T1-GE3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SIB408DK-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Factory Lead Time
15 Weeks
Product Attribute
Packaging
Tape & Reel (TR)
Product Attribute
Part Status
Obsolete
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
15 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Published
2014
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Height
750μm
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation
2.4W
Series
TrenchFET®
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Width
1.6mm
Number of Pins
6
Pin Count
6
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Fall Time (Typ)
9 ns
Length
1.6mm
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
20A
Drain Current-Max (Abs) (ID)
6A
Continuous Drain Current (ID)
7A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A Tc
Weight
95.991485mg
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 15V
Package / Case
PowerPAK® SC-75-6L
Power Dissipation-Max
2.4W Ta 13W Tc
Avalanche Energy Rating (Eas)
5 mJ
Drain-source On Resistance-Max
0.04Ohm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 10V
Manufacturer's Part No.
SIB408DK-T1-GE3
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40m Ω @ 6A, 10V
Terminal Finish
MATTE TIN
Turn On Delay Time
13 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Rise Time
11ns
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Turn-Off Delay Time
13 ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
R-PDSO-N3
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIB408DK-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SIB408DK-T1-GE3?
Для SIB408DK-T1-GE3 указан корпус SC75-. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SIB408DK-T1-GE3 в наличии?
Сейчас на странице указано 23614 шт. на складе и 17888 шт. доступно для SIB408DK-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SIB408DK-T1-GE3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIB408DK-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SIB408DK-T1-GE3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIB408DK-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SIB408DK-T1-GE3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIB408DK-T1-GE3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
BSP297H6327XTSA1
221 покупали
SOT-223
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Ориентировочная цена
$0.39Добавить в список RFQ
IRFU4105ZPBF
217 покупали
TO-251-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.56Добавить в список RFQ
IRLR2703PBF
134 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
FDP2572
188 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 150V 29A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.70Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.