Поставка оригинальных NVF2955T1G, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных NVF2955T1G, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

NVF2955T1G

Внутренний код

TCE000051756

Упаковка

SOT223

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

Automotive, AEC-Q101

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для NVF2955T1G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Terminal Finish

Tin (Sn)

Product Parameter

Turn On Delay Time

11 ns

Product Parameter

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Product Parameter

Number of Channels

1

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

65 ns

Terminal Finish
Tin (Sn)
Turn On Delay Time
11 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
65 ns
Rise Time
7.6ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Published
2008
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
12 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Series
Automotive, AEC-Q101
Drain to Source Breakdown Voltage
-60V
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Resistance
170mOhm
Power Dissipation-Max
1W Ta
Surface Mount
YES
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
4
Height
1.65mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Width
3.7mm
Length
6.7mm
Number of Pins
4
Pin Count
4
Power Dissipation
2.3W
Weight
250.212891mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.6A Ta
Continuous Drain Current (ID)
2.6A
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Fall Time (Typ)
38 ns
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
492pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14.3nC @ 10V
Avalanche Energy Rating (Eas)
225 mJ
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170m Ω @ 750mA, 10V
Manufacturer's Part No.
NVF2955T1G

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NVF2955T1G, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое NVF2955T1G?

NVF2955T1G — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для NVF2955T1G?

Для NVF2955T1G указан корпус SOT223. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли NVF2955T1G в наличии?

Сейчас на странице указано 99806 шт. на складе и 57199 шт. доступно для NVF2955T1G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для NVF2955T1G?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NVF2955T1G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для NVF2955T1G?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для NVF2955T1G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом NVF2955T1G?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NVF2955T1G.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.