Что такое NUS5530MNR2G?
NUS5530MNR2G — это компонент категории Транзисторы специального назначения от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных NUS5530MNR2G, Транзисторы специального назначения, от ON Semiconductor
IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы специального назначенияОписание
IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для NUS5530MNR2G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Product Attribute
Part Status
Active
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Min Operating Temperature
-55°C
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Packaging
Tape & Reel (TR)
Halogen Free
Halogen Free
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Factory Lead Time
2 Weeks
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
950μm
Package / Case
8-VDFN Exposed Pad
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Subcategory
Other Transistors
Surface Mount
YES
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Pbfree Code
yes
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Pin Count
8
Applications
General Purpose
Element Configuration
Dual
Max Power Dissipation
2.5W
Max Operating Temperature
150°C
Length
3.3mm
Width
3.3mm
Current Rating
3.9A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
20A
Max Collector Current
2A
DS Breakdown Voltage-Min
20V
Emitter Base Voltage (VEBO)
-5V
Fall Time-Max (tf)
70ns
VCEsat-Max
0.3 V
Collector Emitter Saturation Voltage
-100mV
Sub-Categories
Transistors - Special Purpose
Base Part Number
NUS5530MN
Continuous Drain Current (ID)
-3.9A
Gate to Source Voltage (Vgs)
-35V
Current Rating (Amps)
2A PNP 3.9A P-Channel
Voltage - Rated
35V PNP 20V P-Channel
Power Dissipation
635mW
Collector Base Voltage (VCBO)
-55V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
35V
Manufacturer's Part No.
NUS5530MNR2G
DC Current Gain-Min (hFE)
100
Terminal Finish
Tin (Sn)
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Elements
1
Max Frequency
100MHz
Drain to Source Resistance
200Ohm
Transistor Type
NPN, P-Channel
Rise Time-Max
55ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NUS5530MNR2G, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для NUS5530MNR2G?
Для NUS5530MNR2G указан корпус DFN. Текущее описание товара: IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли NUS5530MNR2G в наличии?
Сейчас на странице указано 95886 шт. на складе и 20084 шт. доступно для NUS5530MNR2G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для NUS5530MNR2G?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NUS5530MNR2G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для NUS5530MNR2G?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для NUS5530MNR2G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом NUS5530MNR2G?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NUS5530MNR2G.
Транзисторы специального назначения
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
CTA2P1N-7-F
186 покупали
SOT363
RoHS
Datasheet
TRANS ARRAY PNP/N-CH 40V SOT363
Ориентировочная цена
$0.10Добавить в список RFQ
LMN200B02-7
134 покупали
SOT-363
RoHS
Datasheet
MCU LOAD SWITCH 200MA SOT-363
Ориентировочная цена
$1.10Добавить в список RFQ
MLD1N06CLT4G
169 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
IC MOSFET POWER N-CH 1A 65V DPAK
Ориентировочная цена
$0.35Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
8 июл. 2026 г.
Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИС
Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИСlead time
Ориентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.