Что такое SI3410DV-T1-GE3?
SI3410DV-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SI3410DV-T1-GE3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SI3410DV-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
20 ns
Product Parameter
Turn On Delay Time
21 ns
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Turn-Off Delay Time
20 ns
Turn On Delay Time
21 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Rise Time
14ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2014
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Nominal Vgs
3 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Series
TrenchFET®
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Pin Count
6
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Threshold Voltage
3V
Fall Time (Typ)
9 ns
Power Dissipation
2W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A Tc
Weight
19.986414mg
Continuous Drain Current (ID)
8A
Drain Current-Max (Abs) (ID)
8A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
30A
DS Breakdown Voltage-Min
30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Power Dissipation-Max
2W Ta 4.1W Tc
Manufacturer's Part No.
SI3410DV-T1-GE3
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19.5m Ω @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1295pF @ 15V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI3410DV-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SI3410DV-T1-GE3?
Для SI3410DV-T1-GE3 указан корпус TSOP. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SI3410DV-T1-GE3 в наличии?
Сейчас на странице указано 29525 шт. на складе и 20427 шт. доступно для SI3410DV-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SI3410DV-T1-GE3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI3410DV-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SI3410DV-T1-GE3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI3410DV-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SI3410DV-T1-GE3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI3410DV-T1-GE3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDMS2572
150 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 150V 4.5A POWER56
Ориентировочная цена
$3.20Добавить в список RFQ
IRFL4315TRPBF
160 покупали
SOT223
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Ориентировочная цена
$0.24Добавить в список RFQ
RSE002P03TL
213 покупали
SOT416
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416
Ориентировочная цена
$0.15Добавить в список RFQ
IRLL3303TRPBF
128 покупали
SOT223
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
Ориентировочная цена
$0.14Добавить в список RFQ
FQB33N10TM
179 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.42Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.