Что такое FDS3890?
FDS3890 — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Поставка оригинальных FDS3890, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - МассивыОписание
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDS3890 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2001
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
21 Weeks
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Width
3.9mm
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Manufacturer
ON Semiconductor
Max Power Dissipation
2W
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Series
PowerTrench®
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Length
4.9mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Power Dissipation
2W
Drain to Source Breakdown Voltage
80V
Voltage - Rated DC
80V
Threshold Voltage
2.3V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Power - Max
900mW
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Fall Time (Typ)
12 ns
Height
1.575mm
Resistance
44MOhm
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Voltage
80V
Current Rating
4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44m Ω @ 4.7A, 10V
Continuous Drain Current (ID)
4.7A
Current
47A
Manufacturer's Part No.
FDS3890
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1180pF @ 40V
Avalanche Energy Rating (Eas)
175 mJ
Turn On Delay Time
11 ns
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Elements
2
Rise Time
8ns
Terminal Finish
TIN
Turn-Off Delay Time
26 ns
FET Feature
Logic Level Gate
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDS3890, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDS3890?
Для FDS3890 указан корпус SOIC. Текущее описание товара: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDS3890 в наличии?
Сейчас на странице указано 55407 шт. на складе и 11684 шт. доступно для FDS3890. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDS3890?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDS3890 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDS3890?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDS3890 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDS3890?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDS3890.
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
SI3932DV-T1-GE3
146 покупали
TSOP
RoHS
Datasheet
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP
Ориентировочная цена
$11.30Добавить в список RFQ
BSS8402DW-7-F
215 покупали
SC70-6
RoHS
Datasheet
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
Ориентировочная цена
$0.03Добавить в список RFQ
DMC4050SSD-13
144 покупали
SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
Ориентировочная цена
$0.29Добавить в список RFQ
DMG6601LVT-7
148 покупали
SOT-23-6
RoHS
Datasheet
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Ориентировочная цена
$0.04Добавить в список RFQ
FDS8984
136 покупали
8-SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.23Добавить в список RFQ
DMN5L06DWK-7
212 покупали
SOT-363
RoHS
Datasheet
MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363
Ориентировочная цена
$0.63Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.