Поставка оригинальных BSZ180P03NS3EGATMA1, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies

MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных BSZ180P03NS3EGATMA1, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

BSZ180P03NS3EGATMA1

Внутренний код

TCE000053670

Упаковка

-

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

OptiMOS™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для BSZ180P03NS3EGATMA1 от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

REACH SVHC

No SVHC

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.29.0095

Export Classifications & Environmental

ECCN Code

EAR99

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
S-PDSO-F5
Turn-Off Delay Time
20 ns
Turn On Delay Time
11 ns
Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Rise Time
11ns
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Max Dual Supply Voltage
-30V
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Contains Lead
Mounting Type
Surface Mount
Published
2011
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
18 Weeks
Halogen Free
Halogen Free
Terminal Position
DUAL
Reach Compliance Code
not_compliant
Qualification Status
Not Qualified
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Additional Feature
ESD PROTECTED
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Power Dissipation
40W
Package / Case
8-PowerTDFN
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Pbfree Code
no
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Pin Count
8
Terminal Form
FLAT
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Vgs (Max)
±25V
Drain Current-Max (Abs) (ID)
9A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Series
OptiMOS™
Fall Time (Typ)
3 ns
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2220pF @ 15V
Threshold Voltage
-2.5V
Power Dissipation-Max
2.1W Ta 40W Tc
Manufacturer's Part No.
BSZ180P03NS3EGATMA1
Continuous Drain Current (ID)
39.5A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A Ta 39.5A Tc
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 48μA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18m Ω @ 20A, 10V

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют BSZ180P03NS3EGATMA1, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое BSZ180P03NS3EGATMA1?

BSZ180P03NS3EGATMA1 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для BSZ180P03NS3EGATMA1?

Для BSZ180P03NS3EGATMA1 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли BSZ180P03NS3EGATMA1 в наличии?

Сейчас на странице указано 24596 шт. на складе и 17924 шт. доступно для BSZ180P03NS3EGATMA1. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для BSZ180P03NS3EGATMA1?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для BSZ180P03NS3EGATMA1 от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для BSZ180P03NS3EGATMA1?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для BSZ180P03NS3EGATMA1 от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом BSZ180P03NS3EGATMA1?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для BSZ180P03NS3EGATMA1.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.