Поставка оригинальных IPD30N08S2L21ATMA1, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies

MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных IPD30N08S2L21ATMA1, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

IPD30N08S2L21ATMA1

Внутренний код

TCE000055054

Упаковка

TO252

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

OptiMOS™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IPD30N08S2L21ATMA1 от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Published

2006

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
10 Weeks
Halogen Free
Halogen Free
Terminal Form
GULL WING
Reach Compliance Code
not_compliant
Element Configuration
Single
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Length
6.73mm
Reference Standard
AEC-Q101
Surface Mount
YES
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Avalanche Energy Rating (Eas)
240 mJ
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Continuous Drain Current (ID)
30A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
120A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A Tc
Drain to Source Breakdown Voltage
75V
Fall Time (Typ)
11 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Series
OptiMOS™
Additional Feature
ULTRA-LOW RESISTANCE
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 80μA
Drain-source On Resistance-Max
0.026Ohm
Height
2.41mm
Power Dissipation
136W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1650pF @ 25V
Power Dissipation-Max
136W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20.5m Ω @ 25A, 10V
Manufacturer's Part No.
IPD30N08S2L21ATMA1
Terminal Finish
Tin (Sn)
Turn-Off Delay Time
44 ns
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
9 ns
Rise Time
30ns
Max Dual Supply Voltage
75V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IPD30N08S2L21ATMA1, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IPD30N08S2L21ATMA1?

IPD30N08S2L21ATMA1 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IPD30N08S2L21ATMA1?

Для IPD30N08S2L21ATMA1 указан корпус TO252. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IPD30N08S2L21ATMA1 в наличии?

Сейчас на странице указано 12500 шт. на складе и 12500 шт. доступно для IPD30N08S2L21ATMA1. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IPD30N08S2L21ATMA1?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IPD30N08S2L21ATMA1 от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IPD30N08S2L21ATMA1?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IPD30N08S2L21ATMA1 от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IPD30N08S2L21ATMA1?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IPD30N08S2L21ATMA1.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.