Поставка оригинальных CSD16570Q5BT, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных CSD16570Q5BT, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

CSD16570Q5BT

Внутренний код

TCE000055678

Упаковка

-

Производитель

Texas Instruments

Ключевые характеристики

Серия

NexFET™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для CSD16570Q5BT от Texas Instruments в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

The CSD16570Q5BT is a high-performance power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Texas Instruments. This device is designed for applications requiring efficient power management, such as in power supplies, motor drives, and other high-frequency switching applications.

Key Features:

  1. Type: N-channel MOSFET
  2. Package: The CSD16570Q5BT comes in a compact QFN (Quad Flat No-lead) package, which allows for efficient thermal management and space-saving on printed circuit boards (PCBs).
  3. Voltage Rating: It typically has a maximum drain-source voltage (V_DS) rating of around 30V, making it suitable for low to medium voltage applications.
  4. Current Rating: The device can handle continuous drain currents of up to 70A, depending on the thermal conditions and PCB layout, which makes it capable of driving high loads.
  5. R_DS(on): The on-resistance (R_DS(on)) is very low, often in the range of a few milliohms, which minimizes power losses during operation and enhances efficiency.
  6. Gate Threshold Voltage: The gate threshold voltage (V_GS(th)) is typically low, allowing for easy drive with standard logic levels.
  7. Switching Speed: The CSD16570Q5BT is designed for fast switching, which is crucial for applications that require high efficiency and minimal switching losses.

Applications:

  • Power Management: Ideal for DC-DC converters, battery management systems, and power distribution.
  • Motor Control: Suitable for driving motors in various applications, including robotics and industrial automation.
  • Consumer Electronics: Can be used in power supplies for laptops, desktops, and other electronic devices.

Thermal Performance:

The QFN package design aids in heat dissipation, allowing the MOSFET to operate efficiently under high load conditions. Proper thermal management techniques, such as using thermal vias and adequate copper area on the PCB, are recommended to maximize performance.

Conclusion:

The CSD16570Q5BT from Texas Instruments is a versatile and efficient power MOSFET that meets the demands of modern electronic applications. Its combination of high current handling, low on-resistance, and fast switching capabilities makes it an excellent choice for engineers looking to optimize power efficiency in their designs.

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Terminal Finish

Matte Tin (Sn)

Product Parameter

Rise Time

43ns

Product Parameter

Number of Channels

1

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Turn On Delay Time

5 ns

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

156 ns

Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Rise Time
43ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
5 ns
Turn-Off Delay Time
156 ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Contains Lead
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
6 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Reach Compliance Code
not_compliant
Manufacturer
Texas
Element Configuration
Single
Terminal Form
NO LEAD
Weight
24.012046mg
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
400A
Series
NexFET™
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A Ta
Package / Case
8-PowerTDFN
Contact Plating
Gold
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Length
5mm
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Width
6mm
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Threshold Voltage
1.5V
Thickness
950μm
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250μA
Drain to Source Breakdown Voltage
25V
Continuous Drain Current (ID)
100A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Fall Time (Typ)
72 ns
Drain Current-Max (Abs) (ID)
59A
Power Dissipation-Max
3.2W Ta 195W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.59m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14000pF @ 12V
Manufacturer's Part No.
CSD16570Q5BT
Base Part Number
CSD16570
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD16570Q5BT, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое CSD16570Q5BT?

CSD16570Q5BT — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для CSD16570Q5BT?

Для CSD16570Q5BT указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли CSD16570Q5BT в наличии?

Сейчас на странице указано 56679 шт. на складе и 56679 шт. доступно для CSD16570Q5BT. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для CSD16570Q5BT?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD16570Q5BT от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для CSD16570Q5BT?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для CSD16570Q5BT от Texas Instruments, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом CSD16570Q5BT?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD16570Q5BT.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.