Поставка оригинальных CSD19531Q5AT, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments

MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

RoHS
Поставка оригинальных CSD19531Q5AT, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

CSD19531Q5AT

Внутренний код

TCE000055695

Упаковка

-

Производитель

Texas Instruments

Ключевые характеристики

Серия

NexFET™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

Основные характеристики

-

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

The CSD19531Q5AT is a high-performance N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Texas Instruments. It is designed for applications requiring efficient power management, such as in power supplies, motor drives, and other high-frequency switching applications.

Key Features:

  1. Type: N-channel MOSFET
  2. Package: The device typically comes in a compact, thermally efficient package, such as a QFN (Quad Flat No-lead) or similar, which allows for effective heat dissipation and space-saving on PCBs (Printed Circuit Boards).
  3. Voltage Rating: The CSD19531Q5AT has a high breakdown voltage, typically around 30V, making it suitable for various applications that require robust voltage handling.
  4. Current Rating: It can handle significant continuous drain current, often in the range of 50A or more, depending on the thermal conditions and PCB layout.
  5. RDS(on): The on-resistance (RDS(on)) is low, which minimizes power loss during operation and enhances efficiency. This is a critical parameter for applications where heat generation and energy efficiency are concerns.
  6. Gate Threshold Voltage: The gate threshold voltage is designed to be low, allowing for easy drive with standard logic levels, which is beneficial for interfacing with microcontrollers and digital logic circuits.
  7. Switching Speed: The device features fast switching capabilities, making it suitable for high-frequency applications. This is important for reducing switching losses in power conversion circuits.
  8. Thermal Performance: The package design and materials used in the CSD19531Q5AT contribute to excellent thermal performance, allowing it to operate efficiently under high load conditions.

Applications:

  • Power Management: Ideal for DC-DC converters, battery management systems, and power distribution.
  • Motor Control: Suitable for driving motors in various applications, including robotics and industrial automation.
  • Consumer Electronics: Used in power supplies for laptops, desktops, and other electronic devices.
  • Renewable Energy: Can be utilized in solar inverters and other renewable energy systems for efficient power conversion.

Summary:

The CSD19531Q5AT from Texas Instruments is a versatile and efficient N-channel MOSFET that excels in high-performance applications requiring reliable power management and thermal efficiency. Its combination of low on-resistance, high current handling, and fast switching capabilities makes it a preferred choice for engineers designing modern electronic systems.

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

REACH Status

REACH Affected

Product Attribute

Lead Free

Contains Lead

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Part Status
Active
ECCN
EAR99
REACH Status
REACH Affected
Lead Free
Contains Lead
Mounting Type
Surface Mount
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Factory Lead Time
8 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Reach Compliance Code
not_compliant
Manufacturer
Texas
Element Configuration
Single
Terminal Form
NO LEAD
Height
1.1mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Series
NexFET™
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A Ta
Package / Case
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Length
4.9mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Width
6mm
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Thickness
1mm
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Continuous Drain Current (ID)
100A
Threshold Voltage
2.7V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 250μA
Power Dissipation-Max
3.3W Ta 125W Tc
Fall Time (Typ)
5.2 ns
Base Part Number
CSD19531
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3870pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4m Ω @ 16A, 10V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
337A
Manufacturer's Part No.
CSD19531Q5AT
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
6 ns
Turn-Off Delay Time
18.4 ns
Rise Time
5.8ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD19531Q5AT, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое CSD19531Q5AT?

CSD19531Q5AT — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для CSD19531Q5AT?

Для CSD19531Q5AT указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 100V 100A 8SON. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли CSD19531Q5AT в наличии?

Сейчас на странице указано 78115 шт. на складе и 78115 шт. доступно для CSD19531Q5AT. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для CSD19531Q5AT?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD19531Q5AT от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для CSD19531Q5AT?

Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для CSD19531Q5AT от Texas Instruments. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.

Что нужно проверить перед заказом CSD19531Q5AT?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD19531Q5AT.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.