Что такое STP4NK80Z?
STP4NK80Z — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от STMicroelectronics. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
STMicroelectronicsДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных STP4NK80Z, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
SuperMESH™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для STP4NK80Z от STMicroelectronics в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - annealed
Product Parameter
Turn On Delay Time
13 ns
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
35 ns
Product Parameter
Rise Time
12ns
Product Attribute
Part Status
Active
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - annealed
Turn On Delay Time
13 ns
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
35 ns
Rise Time
12ns
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Current Rating
3A
Packaging
Tube
Factory Lead Time
12 Weeks
Element Configuration
Single
Manufacturer
STMicroelectronics
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Weight
4.535924g
Additional Feature
AVALANCHE RATED
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Vgs (Max)
±30V
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Radiation Hardening
No
Length
10.4mm
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Pin Count
3
Number of Terminations
3
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Continuous Drain Current (ID)
3A
Drain Current-Max (Abs) (ID)
3A
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A Tc
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50μA
Voltage - Rated DC
800V
Series
SuperMESH™
Threshold Voltage
3.75V
Drain to Source Breakdown Voltage
800V
Resistance
3.5Ohm
Fall Time (Typ)
32 ns
Power Dissipation
80W
Power Dissipation-Max
80W Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
575pF @ 25V
Width
4.6mm
Height
9.15mm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22.5nC @ 10V
Base Part Number
STP4N
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5 Ω @ 1.5A, 10V
Manufacturer's Part No.
STP4NK80Z
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют STP4NK80Z, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для STP4NK80Z?
Для STP4NK80Z указан корпус TO-220. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 800V 3A TO-220. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли STP4NK80Z в наличии?
Сейчас на странице указано 53747 шт. на складе и 53747 шт. доступно для STP4NK80Z. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для STP4NK80Z?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для STP4NK80Z от STMicroelectronics. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для STP4NK80Z?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для STP4NK80Z от STMicroelectronics, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом STP4NK80Z?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для STP4NK80Z.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FCPF7N60
180 покупали
TO-220-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
Ориентировочная цена
$1.23Добавить в список RFQ
FDP7030BL
227 покупали
TO-220
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 60A TO-220
Ориентировочная цена
$0.30Добавить в список RFQ
FDT458P
217 покупали
SOT-223
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223
Ориентировочная цена
$0.35Добавить в список RFQ
FDC3612
136 покупали
SSOT-6
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.58Добавить в список RFQ
BSC360N15NS3GATMA1
167 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Ориентировочная цена
$0.13Добавить в список RFQ
SI3447BDV-T1-E3
177 покупали
TSOP
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
Ориентировочная цена
$0.20Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.