Логотип сайта TrustCompo | TrustCompo
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные

Поставка оригинальных FDD6N50FTM, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных FDD6N50FTM, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

FDD6N50FTM

Внутренний код

TCE000056389

Упаковка

TO-252-3

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

UniFET™

Минимальное количество

1

Категория

Дискретные полупроводниковые изделия

Подкатегория

Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные

Описание

MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для FDD6N50FTM от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Factory Lead Time

4 Weeks

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
4 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Form
GULL WING
Published
2013
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
Height
2.39mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
JEDEC-95 Code
TO-252AA
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Length
6.73mm
Vgs (Max)
±30V
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250μA
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Weight
260.37mg
Series
UniFET™
Drain to Source Breakdown Voltage
500V
Resistance
1.15Ohm
Power Dissipation
89W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
22A
Power Dissipation-Max
89W Tc
Continuous Drain Current (ID)
5.5A
Avalanche Energy Rating (Eas)
270 mJ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
960pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.5A Tc
Fall Time (Typ)
20.5 ns
Base Part Number
FDD6N50
Manufacturer's Part No.
FDD6N50FTM
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.15 Ω @ 2.75A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19.8nC @ 10V
Feedback Cap-Max (Crss)
9.5 pF
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
17 ns
Turn-Off Delay Time
33.4 ns
Rise Time
28.3ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDD6N50FTM, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое FDD6N50FTM?

FDD6N50FTM — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для FDD6N50FTM?

Для FDD6N50FTM указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли FDD6N50FTM в наличии?

Сейчас на странице указано 79521 шт. на складе и 44303 шт. доступно для FDD6N50FTM. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для FDD6N50FTM?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDD6N50FTM от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для FDD6N50FTM?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDD6N50FTM от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом FDD6N50FTM?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDD6N50FTM.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

Читать

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

Читать

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

Читать